[发明专利]投影设备

权利要求书

1.一种投影设备，具有光调制器以及至少一个光源，所述光调制器具有光接收区域，所述光接收区域具有大小为A_M的待照亮的横截面和对于入射光的最大接收角α，借助所述光源在工作时产生用于照亮所述光接收区域的横截面的光锥，并且所述光源具有数量为N的发光二极管芯片，所述发光二极管芯片具有大小为A_D的辐射耦合输出面和最大辐射角β，其特征在于，

-在所述发光二极管芯片与所述光调制器之间的光路中设置有至少一个光学元件，

-在所述发光二极管芯片与所述光学元件之间的光路中存在间隙，所述间隙填充有气体，

-所述发光二极管芯片的辐射耦合输出面A_D没有耦合介质，并且

-0.7*(A_M*sin²(α))/(A_D*sin²(β)*n²)≤N≤1.3*(A_M*sin²(α))/(A_D*sin²(β)*n²)，其中n＝1。

2.一种投影设备，具有光调制器以及至少一个光源，所述光调制器具有光接收区域，所述光接收区域具有大小为A_M的待照亮的横截面和对于入射光的最大接收角α，借助所述光源在工作时产生用于照亮所述光接收区域的横截面的光锥，并且所述光源具有数量为N的发光二极管芯片，所述发光二极管芯片具有大小为A_D的辐射耦合输出面和最大辐射角β，其特征在于，

-在所述发光二极管芯片与所述光调制器之间的光路中设置有至少一个光学元件，

-所述发光二极管芯片的辐射耦合输出面A_D设置有耦合介质，

-0.7*(A_M*sin²(α))/(A_D*sin²(β)*n²)≤N≤1.3*(A_M*sin²(α))/(A_D*sin²(β)*n²)，

其中n等于所述耦合介质的材料的折射率。

3.根据上述权利要求中任一项所述的投影设备，其特征在于，所述发光二极管芯片具有薄膜层，所述薄膜层带有发射电磁辐射的有源区，所述有源区基本上没有生长衬底并且在与主辐射面背离的侧上设置有反射器。

4.根据权利要求3所述的投影设备，其特征在于，所述光调制器的光接收区域的横截面A_M具有长度l_M和宽度b_M，所述薄膜层的主辐射面具有长度l_D和宽度b_D，所述发光二极管芯片设置成x行和y列的矩阵，其中：

0.7*(l_M*sin(α))/(l_D*sin(β)*n)≤x≤1.3*(l_M*sin(α))/(l_D*sin(β)*n)，并且

0.7*(b_M*sin(α))/(b_D*sin(β)*n)≤y≤1.3*(b_M*sin(α))/(b_D*sin(β)*n)。

5.根据上述权利要求中任一项所述的投影设备，其特征在于，数量N或者数x或y的可能的值等于相应商上舍入或下舍入到的相邻整数，其中所述商为(A_M*sin²(α))/(A_D*sin²(β)*n²)、(l_M×sin(α))/(l_D×sin(β)×n)或(b_M×sin(α))/(b_D×sin(β)×n)。

6.根据上述权利要求中任一项所述的投影设备，其特征在于，数量N或者数x或y的可能值等于相应商上舍入或者下舍入到的相邻整数。

7.根据上述权利要求中任一项所述的投影设备，其特征在于，所述发光二极管芯片的主辐射面具有基本上矩形的形状。