[发明专利]监测蚀刻等离子体加工设备中等离子体状态的方法和装置无效
申请号: | 200680016778.5 | 申请日: | 2006-03-15 |
公开(公告)号: | CN101427352A | 公开(公告)日: | 2009-05-06 |
发明(设计)人: | 陈英欣;杰弗里·W·纽纳;小弗朗克·迪梅奥;陈世辉;詹姆斯·韦尔奇;杰弗里·F·罗德 | 申请(专利权)人: | 高级技术材料公司 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;李丙林 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 监测 蚀刻 等离子体 加工 设备 状态 方法 装置 | ||
1.用于测定蚀刻等离子体加工设备中等离子体状态的方法,包含 以下步骤:
提供至少一个能在高能气体物质存在下显示温度变化并 且相应地产生一种指示所述温度变化的输出信号的传感器元 件;
将所述传感器元件在所述蚀刻等离子体加工设备的下游 区域与由所述蚀刻等离子体加工设备产生的流出物气体流相 接触;并且
基于指示由于所述流出物气体流中存在高能气体物质引 起的由所述感应元件产生的温度变化的所述输出信号,测定所 述蚀刻等离子体加工设备中的等离子体状态。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述传感器元件包括至少两 个含有不同金属或者金属合金的部件并且二者之间具有热接 点。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述传感器元件的至少两个 部件包含选自由镍、铝、铜和它们的合金组成的组的金属或者 金属合金。
4.根据权利要求2所述的方法,其中所述流出物气体流易于存在 高能氟物质,并且其中所述的传感器元件的至少两个部件包含 耐氟金属或者金属合金。
5.根据权利要求2所述的方法,其中所述传感器元件包括含铜的 第一部件和含康铜的第二部件。
6.根据权利要求2所述的方法,其中所述流出物气体流易于存在 高能氟物质,并且其中所述传感器元件进一步包括在所述至少 两个部件上的耐氟涂层。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述耐氟涂层包含选自由聚 四氟乙烯、氧化铝、II族金属氟化物、全氟代聚合物、以及它 们的混合物组成的组的材料。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述传感器元件包括热敏电 阻。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述传感器元件包括电阻式 温度检测器。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述电阻式温度检测器是在 恒定电流下工作的。
11.根据权利要求9所述的方法,其中所述电阻式温度检测器是在 恒定电阻下工作的。
12.根据权利要求1所述的方法,其中该流出物气体流易于存在选 自于由氟、氯、碘、溴、氧及其衍生物和自由基组成的组的高 能气体物质。
13.测定蚀刻等离子体加工设备中等离子体状态的系统,包括:
采样装置,用于在所述蚀刻等离子体加工设备的下游区 域从由所述蚀刻等离子体加工设备产生的流出物气体流获得 气体样品;
至少一个传感器元件,工作性地与所述气体采样装置连 接,用于暴露给所述气体样品,其中所述传感器元件能显示高 能气体物质存在下的温度变化并且能相应地产生一种指示所 述温度变化的输出信号;
监测装置,工作性地与所述传感器元件连接,用于监测 指示由所述气体流中高能气体物质的存在引起的温度变化的 由所述传感器元件产生的输出信号并且基于所述输出信号测 定所述蚀刻等离子体加工设备中的等离子体状态。
14.根据权利要求13所述的系统,其中所述气体采样装置工作性 地连接于所述流出物气体流经过的下游流体流径。
15.根据权利要求13所述的系统,其中所述气体采样装置是所述 流出物气体流经过的下游流体流径的一部分。
16.根据权利要求13所述的系统,其中所述传感器元件包括至少 两个包含不同金属或者金属合金的部件并且二者之间具有热 接点。
17.根据权利要求16所述的系统,其中所述传感器元件的所述至 少两个部件包含选自由镍、铝、铜及它们的合金组成的组的金 属或者金属合金。
18.根据权利要求16所述的系统,其中所述流出物气体流易于存 在高能氟物质,并且其中所述传感器元件的所述至少两个部件 包含耐氟金属或者金属合金。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造