[发明专利]使用可去除膜制备浮雕图像有效
申请号: | 200680016806.3 | 申请日: | 2006-05-02 |
公开(公告)号: | CN101176039A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 |
发明(设计)人: | G·L·茨沃德洛 | 申请(专利权)人: | 伊斯曼柯达公司 |
主分类号: | G03F1/10 | 分类号: | G03F1/10;G03F7/20 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 段晓玲;韦欣华 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 去除 制备 浮雕 图像 | ||
1.一种制备浮雕图像的方法,该方法包括以下步骤:
(a)将包含掩模基体和可成像材料的可成像膜成像式曝光于成像性辐射中,形成包含在掩模基体上的掩模图像的成像膜;
(b)将该成像膜层压到包含设置在光敏材料上的释放层的可成像制品上;
(c)将没有真空下吸的该可成像制品通过该成像膜曝光于固化性辐射中;
(d)从该可成像制品上除去该成像膜,使该成像膜可重复使用;以及
(e)使该可成像制品进行显影,形成该浮雕图像。
2.权利要求1的方法,其中该可成像材料包括红外吸收剂。
3.权利要求1的方法,其中该可成像材料包括紫外吸收剂。
4.权利要求1的方法,其中该可成像材料包括吸收固化性辐射的着色剂。
5.权利要求4的方法,其中该着色剂包括碳黑、红黄、紫黑或其组合。
6.权利要求1的方法,其中该可成像材料包含吸收固化性辐射的着色剂、红外吸收剂、紫外吸收剂和粘结剂。
7.权利要求1的方法,其中该可成像膜包括位于可成像材料和掩模基体之间的胶层。
8.权利要求1的方法,其中该可成像膜包括可烧蚀层。
9.权利要求8的方法,其中该可烧蚀层包括聚氰基丙烯酸酯和红外染料。
10.权利要求8的方法,其中该可烧蚀层位于掩模基体和可成像材料之间。
11.权利要求8的方法,其中该可烧蚀层位于可成像材料的曝光表面上。
12.权利要求1的方法,其中该成像性辐射具有约750~1200nm之间的波长。
13.权利要求1的方法,其中将该膜成像式曝光于成像性辐射中的步骤导致曝光于成像性辐射的可成像材料的去除。
14.权利要求13的方法,其中用接收器片材收集该曝光于成像性辐射的可成像材料。
15.权利要求1的方法,其中将该成像膜层压到可成像制品上的步骤包括:
(i)加热该可成像制品;以及
(ii)将该成像膜与该可成像制品的释放层接触。
16.权利要求15的方法,其中将该成像膜层压到可成像制品上的步骤进一步包括在该掩模图像与释放层接触的步骤之后,在该成像膜和可成像制品上施加热和压力。
17.权利要求1的方法,其中该光敏材料包括可紫外固化的材料。
18.权利要求1的方法,其中该释放层包括聚乙烯醇、甲基纤维素或水解的苯乙烯马来酸酐、或其衍生物或组合。
19.权利要求1的方法,其中该光敏材料设置在光敏基体上。
20.权利要求1的方法,其中该可成像制品为胶版印版前体。
21.权利要求1的方法,其中将该可成像制品曝光于固化性辐射中的步骤诱发光敏材料的光聚合。
22.权利要求1的方法,其中该固化性辐射包括紫外辐射。
23.权利要求1的方法,其中将该可成像制品曝光于固化性辐射中的步骤是在环境压力下进行的。
24.权利要求1的方法,其中将该可成像制品显影的步骤包括使该可成像制品与显影剂接触。
25.权利要求1的方法,其中该浮雕图像的深度在约150~约750微米的范围内。
26.权利要求1的方法,进一步包括以下步骤:
(f)将该成像膜层压到第二可成像制品上;
(g)将没有经过真空下吸的该第二可成像制品通过该成像膜曝光于固化性辐射中;
(h)从该第二可成像制品上去除该成像膜;以及
(i)将该第二可成像制品显影,形成第二浮雕图像。
27.权利要求26的方法,其中用另外的可成像制品重复步骤(f)~(i)。
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