[发明专利]源自双轴取向和热定形的聚酯薄膜的导电涂覆的基材

权利要求书

1.能够在等于或者大于240℃的温度下用导电涂层涂覆的薄膜，所述薄膜包括由熔点为260℃或更高的聚酯制备的双轴取向的聚酯薄膜。

2.能够在等于或大于240℃的温度下用导电涂层涂覆的薄膜，所述薄膜包括由聚酯制备的双轴取向的聚酯薄膜，该聚酯包含：

(a)二酸残基，其包含大约90-大约99.5摩尔％的对苯二甲酸残基、萘二甲酸残基或它们的组合；和

(b)二醇残基，其包含至少90摩尔％的1，4-环己烷二甲醇残基，

其中该聚酯包含总计100摩尔％的二酸残基和总计100摩尔％的二醇残基，并且其中该聚酯具有260℃或更高的熔点。

3.根据权利要求2的薄膜，其已经在大于2.0倍的拉伸比和高于90℃的温度下进行了拉伸。

4.根据权利要求3的薄膜，其已经在满足方程式(27×R)-(1.3×(T-Tg))≥27的条件下进行了双轴拉伸，其中T是纵向和横向拉伸温度(摄氏度)的平均值，Tg是该聚合物薄膜的玻璃化转变温度(摄氏度)，R是纵向和横向拉伸比的平均值；和该薄膜已经在250℃至Tm的实际薄膜温度下进行了热定形，其中Tm是该聚合物的通过差示扫描量热法(DSC)测量的熔点。

5.根据权利要求2的薄膜，该薄膜已经在Tg至Tg+20℃的温度下进行了2.5至3.0倍的拉伸；和已经在250℃或更高的实际薄膜温度下进行了热定形。

6.透明的导电涂覆的基材，包括：

(a)透明导电的无机氧化物层；和

(b)双轴取向的聚酯薄膜，该聚酯薄膜由包含以下物质的聚酯制备：

(1)二酸残基，其包含大约90-大约99.5摩尔％的对苯二甲酸残基、萘二甲酸残基或它们的组合；和

(2)二醇残基，其包含至少90摩尔％的1，4-环己烷二甲醇残基，其中该聚酯包含总计100摩尔％的二酸残基和总计100摩尔％的二醇残基，并且具有260℃或更高的熔点。

7.根据权利要求6的基材，其中该透明导电层是氧化铟锡。

8.根据权利要求6的基材，其中该聚酯薄膜包含二酸残基，该二酸残基包含大约95至大约99.5摩尔％的对苯二甲酸残基。

9.根据权利要求6的基材，其中该聚酯薄膜包含二酸残基，该二酸残基包含大约90至大约99摩尔％的萘二甲酸残基。

10.根据权利要求6的基材，其中该透明导电层在大于大约235℃的温度下进行施加。

11.根据权利要求6的基材，其中该透明导电层在大于大约250℃的温度下进行施加。

12.包括根据权利要求6的基材的液晶显示器组件。

13.包括根据权利要求6的基材的有机发光二极管显示器组件。

14.包括根据权利要求6的基材的光电器件组件。

15.包括根据权利要求6的基材的建筑窗体或玻璃窗。

16.包括根据权利要求6的基材的触摸屏显示器。

17.透明的导电涂覆的基材，包括：

(a)透明导电的无机氧化物层；和

(b)双轴取向的聚酯薄膜，该聚酯薄膜由包含以下物质的聚酯制备：

(i)二酸残基，其包含大约90-大约99.5摩尔％的对苯二甲酸残基、萘二甲酸残基或它们的组合；和

(ii)二醇残基，其包含至少90摩尔％的1，4-环己烷二甲醇残基，其中该聚酯包含总计100摩尔％的二酸残基和总计100摩尔％的二醇残基，并且具有260℃或更高的熔点；

其中该聚酯薄膜已经在满足方程式(27×R)-(1.3×(T-Tg))≥27的拉伸比和拉伸温度下进行了拉伸，其中T是纵向和横向拉伸温度(摄氏度)的平均值，Tg是该聚合物薄膜的玻璃化转变温度(摄氏度)，R是纵向和横向拉伸比的平均值；和

其中该拉伸的聚酯薄膜已经在250℃到Tm的实际薄膜温度下进行了热定形1至120秒，同时保持该该拉伸薄膜的尺寸，其中Tm是该聚合物的通过差示扫描量热法(DSC)测量的熔点。

18.根据权利要求17的基材，其中该透明导电层是氧化铟锡。