[发明专利]在半导体衬底上形成曲线轮廓的工艺

权利要求书

1.一种在半导体衬底上形成曲线轮廓的工艺，所述工艺包括以下步骤：

制备所述半导体衬底，该半导体衬底具有彼此相对的上表面和下表面；

在所述下表面上形成阳极；

将所述半导体衬底放置在电解液中；

使电流在所述阳极和所述电解液中的阴极之间流动，以转换所述半导体衬底的上表面使各部分之间深度不同，在所述上表面内留下多孔层；以及

从所述半导体衬底中去除所述多孔层，以在所述上表面上留下曲面；

其特征在于

所述阳极被配置为具有电场强度的预定分布，该电场强度穿过所述半导体衬底的上表面和下表面并且在所述半导体衬底的各部分之间不同，从而提供具有与所述电场强度的分布相匹配的变化深度的多孔层。

2.如权利要求1所述的工艺，其中所述阳极局部地形成在所述半导体衬底的下表面上，以得预定的阳极图案，该预定的阳极图案定义了所述电场强度的所述预定分布。

3.如权利要求2所述的工艺，其中所述阳极图案通过以下步骤形成：

在所述半导体衬底的下表面上沉积导电层；

去除所述导电层的一部分，以在所述导电层内形成相应的开口。

4.如权利要求1所述的工艺，其中所述阳极经由介电掩模形成在所述半导体衬底的下表面上，所述介电掩模局部地形成在所述下表面上，以实现所述电场强度的所述预定分布。

5.如权利要求4所述的工艺，其中所述掩模通过以下步骤形成：

将介电层设置在所述半导体衬底的整个下表面上；

去除所述介电层的一部分，以在所述半导体衬底的下表面上留下所述掩模。

6.如权利要求4所述的工艺，其中所述半导体衬底由硅制成，以及所述介电层由氧化硅或氮化硅制成。

7.如权利要求1所述的工艺，还包括步骤：

将附加阳极局部形成在已形成有曲面的所述半导体衬底的上表面上；

将所述半导体衬底放置在所述电解液中；

使电流在所述附加阳极与所述电解液中的所述阴极之间流动，以转换所述半导体衬底的下表面使各部分之间深度不同，在所述下表面内留下附加多孔层；以及

从所述半导体衬底中去除所述附加多孔层和所述附加阳极，以在所述下表面上留下另一曲面。

8.如权利要求1所述的工艺，其中所述半导体衬底由硅制成，以及所述电解液包括氟化氢的水溶液。

9.如权利要求1所述的工艺，其中所述半导体衬底由p型半导体制成。

10.如权利要求1所述的工艺，其中所述电流被调节为在产生多孔层的最后阶段减小。

11.如权利要求1所述的工艺，其中所述半导体衬底被选择为具有几欧姆厘米(Ω·cm)至几百欧姆厘米(Ω·cm)的电阻率。