[发明专利]带有填充纳米管的通道的微流控器件及其生产方法

权利要求书

1.一种微流控器件，它包括由顶壁(6)、底壁(3)和两个相对的侧壁(4，5)限定的至少一个通道(2)，所述通道的至少一个壁支承基本上与所述壁垂直地配置的多个纳米管；

其特征在于，所述顶壁(6)和底壁(3)之间的距离(P)大于或等于25μm，第一和第二组纳米管(9a，9b)分别由所述相对的侧壁(4，5)支承，以填充所述通道(2)，并且所述两个相对的侧壁(4，5)之间的距离(L)大约为数微米。

2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一组纳米管的自由端和所述第二组纳米管的自由端的平均相隔距离小于2μm。

3.如权利要求1和2中的一项所述的器件，其特征在于，所述第一组纳米管(9a)的大多数自由端与所述第二组纳米管(9b)的自由端接触。

4.如权利要求1～3中任何一项所述的器件，其特征在于，所述两个相对的侧壁(4，5)之间的距离(L)大约为3～5μm。

5.如权利要求1～4中任何一项所述的器件，其特征在于，所述纳米管(9a，9b，9c，9d)的长度小于或等于3μm。

6.如权利要求1～5中任何一项所述的器件，其特征在于，所述通道(2)的顶壁和底壁(4，5)之间的距离(P)为25～100μm。

7.如权利要求1～6中任何一项所述的器件，其特征在于，所述顶壁和底壁(6，3)中的一个支承另外的至少一组纳米管(9c，9d)。

8.如权利要求1～7中任何一项所述的器件，其特征在于，所述纳米管为含碳的纳米管。

9.一种生产如权利要求1～8中任何一项所述的微流控器件的方法，其特征在于，所述方法至少包括下列有序的步骤：

有选择地刻蚀预定厚度的基片(7)，以至少形成通道(2)的相对的侧壁(4，5)；以及

在通道(2)的相对的侧壁(4，5)上生长第一和第二组纳米管(9a，9b)。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，对所述基片(7)的刻蚀进行至与基片(7)的厚度相等的深度，并且所述通道(2)的顶壁(6)和底壁(3)分别由分别密封在基片(7)上的第一和第二保护盖(8，12)形成。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，对所述基片(7)的刻蚀在严格地小于基片(7)的厚度的深度上进行，以在基片(7)上形成所述通道(2)的底壁(3)，之后，通道(2)的顶壁(6)由密封在基片(7)上的保护盖(8)形成。