[发明专利]用于运行气体传感器阵列的电路装置

权利要求书

1.用于运行传感器阵列、特别是探测气体的气体传感器阵列的电路装置，所述传感器阵列具有至少一条信号线，其特征在于，所述至少一条信号线分支成至少两条并行的线路分支，并且在所述至少两条并行的线路分支中分别布置至少一个传感器和至少一个与相应的传感器串联连接的二极管，其中所述至少两个二极管具有相反的电截止方向，并且其中借助在所述至少一条信号线上所施加的电势的极化来确定，流经所述至少一条信号线的电流的至少主要分量是否流经第一并行线路分支的传感器或者第二并行线路分支的传感器。

2.如权利要求1所述的电路装置，其特征在于，所述至少两个二极管由肖特基二极管构成。

3.如权利要求2所述的电路装置，其特征在于，所述肖特基二极管直接布置在陶瓷衬底上。

4.如权利要求3所述的电路装置，其特征在于，所述肖特基二极管用厚层技术来制造。

5.如前述权利要求中任一项所述的电路装置，用于运行具有由半导体材料构成的气体传感器的传感器阵列，其特征在于，所述气体传感器由半导的金属氧化物构成。

6.如前述权利要求中任一项所述的电路装置，用于运行具有由半导体材料构成的气体传感器的传感器阵列，所述气体传感器具有至少两个金属半导体结，其特征在于，所述至少两个金属半导体结中的一个在阻断电流的作用方面被构造，并且相应的另一金属半导体结被构造为欧姆性接触。

7.如前述权利要求中任一项所述的电路装置，其特征在于，所述传感器被集成到所述二极管的半导体中。

8.如前述权利要求中任一项所述的电路装置，其特征在于，布置保护层，所述保护层将所述二极管和/或所述金属半导体结与围绕所述传感器阵列的气体大体分开。

9.如权利要求5至8中任一项所述的电路装置，其特征在于，所述半导体由耐高温的碳化硅、或者由半导的金属氧化物、优选TiO₂、SnO₂、WO₃、Cr₂O₃以相同的或者变化的掺杂来构成，并且金属信号线由贵金属、优选金、铂、钯、铑或这些金属的合金、或者由金属的导电的氧化物、优选锰酸镧和/或铬酸镧和/或钴酸镧构成。

10.如权利要求5至9中任一项所述的电路装置，其特征在于，所述半导体在信号线的区域中被掺杂，而且优选以掺杂浓度梯度或者以掺杂度的离散分级的方式被掺杂。

11.如权利要求9或10所述的电路装置，其特征在于，所述半导体材料也被用作肖特基二极管的材料。

12.如前述权利要求中任一项所述的电路装置，用于运行由电阻性气体传感器构成的传感器阵列，其特征在于，利用交流电压对至少一个气体传感器的电阻进行测量，该交流电压被施加给恒定的基本电压，其中借助对流经相应的气体传感器的电流的交流分量的测量选择性地感测至少一个气体传感器的电阻，并且其中通过所述基本电压的极化来控制使哪一个气体传感器动作。

13.如权利要求1至11中任一项所述的电路装置，用于运行由电阻性气体传感器构成的传感器阵列，其特征在于，利用直流电压测量至少一个气体传感器的电阻，其中使用至少两个不同的电压值，所述电压值分别大于二极管的击穿电压。

14.如前述权利要求中任一项所述的电路装置，用于运行由电阻性传感器构成的传感器阵列，其特征在于，所述至少一条信号线分支成至少三条并行的线路分支，其中在所述至少三条并行的线路分支中的至少两条中分别布置至少一个电阻性传感器和至少一个与相应的电阻性传感器串联连接的二极管，并且在至少第三线路分支中在没有串联连接的二极管的情况下布置附加的电阻性传感器，其中在所施加的相对小的测量电压的情况下只对附加的传感器的电阻进行测量，并且其中在大于所述至少两个二极管的击穿电压的电压的情况下对总信号进行测量。