[发明专利]生产震动微机械结构的方法

权利要求书

1.一种形成震动梁微机械结构(100)的方法，该方法特征为：

在基础基底物(104)中形成邻近电容气隙(116)的一个或多个谐振器锚(122，124)；

将绝缘体上硅谐振器晶片(108)的单晶硅半导体材料活性层(142)结合至所述基础基底物(104)的谐振器锚(122，124)，所述绝缘体上硅谐振器晶片(108)在半导体材料柄层(144)和半导体材料活性层(142)之间具有电介质层(140)；

除去所述绝缘体上硅谐振器晶片(108)的柄层和电介质层(144，140)；和

在所述绝缘体上硅谐振器晶片(108)的单晶硅半导体材料活性层(142)中硅干燥蚀刻机械加工单晶硅谐振器(106)。

2.权利要求1的方法，其中所述基础基底物(104)进一步特征为，该基础基底物(104)是绝缘体上硅基础晶片；并且

其中所述绝缘体上硅谐振器晶片(108)的活性层(142)与所述绝缘体上硅基础晶片(104)的活性层(114)的结合的进一步特征为，结合方法选自如下结合方法：二者的直接结合方法、熔合结合方法、烧结结合方法和低温结合方法。

3.权利要求1的方法，其中所述基础基底物(104)进一步特征为，该基础基底物(104)是绝缘晶片；并且

所述绝缘体上硅谐振器晶片(108)的活性层(142)与所述基础基底物(104)的谐振器锚(122，124)的结合的进一步特征为，结合方法选自如下结合方法：二者的阳极结合方法、共熔结合方法、热压结合方法、粘合结合方法和低温结合方法。

4.前述权利要求任一项的方法，其中在第二绝缘体上硅晶片(108)的单晶硅半导体材料活性层(142)中硅干燥蚀刻机械加工单晶硅谐振器(106)的进一步特征为，反应性离子蚀刻和深反应离子蚀刻之一。

5.前述权利要求任一项的方法，其中在所述绝缘体上硅谐振器晶片(108)的单晶硅半导体材料活性层(142)中硅干燥蚀刻机械加工单晶硅谐振器(106)的进一步特征为，使用光致抗蚀剂材料掩蔽和随后干燥剥离所述光致抗蚀剂材料。

6.前述权利要求任一项的方法，其中形成所述电容气隙(116)和一个或多个谐振器锚(122，124)的进一步特征为，体和表面微机械加工与金属沉积和蚀刻的结合。

7.权利要求1的方法，其进一步特征为，在所述基础基底物(104)中形成一个或多个校准标记(132)；并且

在所述绝缘体上硅谐振器晶片(108)的活性层(142)中形成一个或多个窗(148)，以便用所述基础基底物(104)中的一个或多个校准标记(132)进行校准。

8.权利要求1的方法，其中在所述绝缘体上硅谐振器晶片(108)的单晶硅半导体材料活性层(142)中硅干燥蚀刻机械加工单晶硅谐振器(106)的进一步特征为，使用双面校准器进行校准。

9.权利要求1的方法，其中在所述绝缘体上硅谐振器晶片(108)的单晶硅半导体材料活性层(142)中硅干燥蚀刻机械加工单晶硅谐振器(106)的进一步特征为，机械加工单晶硅谐振器(106)，用作两端夹紧谐振器梁、一端夹紧谐振器梁、两端自由谐振器梁、单晶硅膜和单晶硅片其中之一。

10.权利要求9的方法，其进一步特征为，在所述基础基底物(104)中机械加工一个或多个传输线(126)；并且

其中机械加工单晶硅谐振器(106)的进一步特征为，机械加工构成过滤装置的单晶硅谐振器。