[发明专利]场效应晶体管无效
| 申请号： | 200680017271.1 | 申请日： | 2006-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN101180735A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | K·沃格特莱恩德;J·杜尔;U·沃斯特拉多维斯基;A·查鲍德 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/78;H01L27/06;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢江;刘春元 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有源极、漏极和栅极的场效应晶体管，其特征在于，该场效应晶体管在栅极和源极之间或者在栅极和漏极之间或者在栅极和基底之间具有引导漏电流的连接。
2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，引导漏电流的连接是二氧化硅层，在该二氧化硅层中为了形成高欧姆电流路径而植入离子(图1)。
3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，引导漏电流的连接具有高欧姆电阻(R)(图2)。
4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，引导漏电流的连接是肖特基二极管(图3)。
5.根据权利要求4所述的场效应晶体管，其特征在于，在栅极(G)和源极(S)之间存在P硅块。
6.根据权利要求5所述的场效应晶体管，其特征在于，所述P硅块的P掺杂随着与栅极之间的距离增大而增长。
7.根据权利要求6所述的场效应晶体管，其特征在于，所述P硅块的P掺杂随着与栅极之间的距离增大而线性增长。
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