[发明专利]不随工艺变化的带隙基准电路和方法无效
申请号: | 200680017588.5 | 申请日: | 2006-03-21 |
公开(公告)号: | CN101180594A | 公开(公告)日: | 2008-05-14 |
发明(设计)人: | P·C·A·特德帕斯;A·斯德赫 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/46 | 分类号: | G05F1/46;G05F3/08 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 工艺 变化 基准 电路 方法 | ||
1.一种集成电路,其包括:
接收基准信号的部件;和
基于带隙基准产生所述基准信号的基准产生电路,所述基准信号依赖于出现在结两端的第一电压,所述第一电压依赖于用于实现所述集成电路的制造工艺,所述基准产生电路自适应地将所述基准信号的强度调整为预定值,而和所述制造工艺的变化无关。
2.一种用于产生基准电压的电路,其包括:
具有反相端和同相端作为输入端和具有输出端的第一运算放大器,所述基准电压在所述输出端产生;
具有连接到所述同相端的发射极端子的第一晶体管,所述第一晶体管的基极端子和集电极端子连接至地;
具有通过第一电阻器连接到所述反相端的发射极端子的第二晶体管,所述第二晶体管的基极端子和集电极端子连接至地;
将所述同相端连接到第一节点的第二电阻器;
将所述第一节点连接到所述反相端的第三电阻器;
将所述第一节点连接到所述输出端的第四电阻器;和
补偿电路,其将修正电流注入到所述第一晶体管的基极发射极结,以将所述基极发射极结两端的第一电压变为相应的标称值,以便将所述基准电压保持在所述预定值。
3.如权利要求2所述的电路,其中所述补偿电路包括:
提供第二电压的第三晶体管;
第二运算放大器,其在一个端子上接收所述第二电压以及在另一个端子上接收与绝对温度成比例的电压,所述与绝对温度成比例的电压与环境温度成比例,
其中所述修正电流从由所述第二运算放大器产生的输出产生。
4.如权利要求3所述的电路,其中所述补偿电路还包括:
指数电流发生器,其在输入端接收与由所述第二运算放大器产生的所述输出成比例的电压信号,所述修正电流在所述指数电流发生器的输出端上产生,其中所述输出端被连接到所述第一晶体管的发射极端子。
5.如权利要求2所述的电路,其中所述补偿电路包括:
第二运算放大器,其在同相端上接收与绝对温度成比例的电压,所述与绝对温度成比例的电压与环境温度成比例;
第五电阻器,其连接在所述第一晶体管的所述发射极端子和所述第二运算放大器的反相端之间,
其中所述修正电流从所述第二运算放大器的输出产生。
6.如权利要求5所述的电压产生电路,其中所述补偿电路还包括:
第四晶体管,其被耦合在所述第二运算放大器的所述输出和所述第五电阻器之间,所述第四晶体管从电源获得电流。
7.一种用于在集成电路中产生基准信号的方法,所述方法包括:
在结两端产生结电压,其中带隙基准可在所述结中获得;
基于所述结电压产生所述基准信号;和
将所述结电压的强度自适应地调整为标称值,而和用于实现所述集成电路的制造工艺的变化无关,这样所述基准信号具有和所述变化无关的预定值。
8.如权利要求7所述的方法,其中所述结包含于晶体管中,其中所述自适应地调整包括将修正电流注入到所述结,其中所述修正电流的大小与所述结电压强度偏离所述标称值的偏差具有正相关。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德克萨斯仪器股份有限公司,未经德克萨斯仪器股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680017588.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:反熔丝存储装置
- 下一篇:对液体、固体或者气体物质进行净化和消毒的设备及方法