[发明专利]用于半导体器件的边缘末端

权利要求书

1.一种具有边缘末端结构的半导体器件，包括：

半导体本体(22，28)，具有相对的第一(34)和第二(36)主表面；

半导体本体的有源区域(30)，限定了至少一种半导体部件；

有源区域(30)外部的边缘末端区域(32)，其中所述边缘末端区域(32)包括：

多个横向间隔的浮置场区域(46)；

第一主表面(34)上的绝缘层(52)；以及

至少一个场板(54)，在连接点(56)处穿过绝缘层(52)与边缘末端区域(32)中的第一主表面(34)相连，并且从所述连接点(56)在多个浮置场区域(46)上向内向有源区域(30)延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

浮置场区域(46)是第一主表面(34)处的第一导电类型的半导体区域；

半导体本体的与第一导电类型相反的第二导电类型的下部区域(22)位于浮置场区域(46)下面，下部区域(22)通过比下部区域(22)和浮置场区域(46)更低掺杂的间隔区域(38)与浮置场区域(46)隔离。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中低掺杂的间隔区域(24，38)从边缘末端区域(32)延伸到有源区域(30)中，并且作为有源区域中的漂移区域(24)。

4.根据权利要求2或3所述的半导体器件，其中间隔区域(24，38)包括与第二导电类型的区域(42；92)交替的第一导电类型的区域(40；90)，第一和第二导电类型的交替区域(40，42；90，92)均比浮置场区域(46)和下部区域(22)的掺杂低。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中间隔区域(24，38)包括柱子(40)，所述柱子(40)包括垂直地延伸穿过间隔区域(24，38)至下部区域(22)的第一导电类型的区域(50，80)，限定了柱子(40)之间的第二导电类型的区域(42)。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中在边缘末端区域中，将柱子(40)设置在浮置场区域(46)下面。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中间隔区域(24，38)包括与第二导电类型的横向延伸区域(92)垂直地交替的第一导电类型的横向延伸区域(90)。

8.根据权利要求4所述的半导体器件，其中间隔区域包括在横向和垂直两个方向上与第二导电类型的区域(42)交替的第一导电类型的多个区域(98)。

9.根据权利要求2至8中任一项所述的半导体器件，其中将浮置场区域(46)设置为边缘末端区域(32)中的第一主表面处的排列为二维阵列的区域。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中将浮置场区域(46)设置为边缘末端区域(32)中的第一主表面处的排列为六边形阵列的区域。

11.根据任一前述权利要求所述的半导体器件，包括与有源区域(30)间隔开的多个场板(54)，限定了相邻场板之间的至少一个间隙(72)，

其中将相邻场板之间的所述或每一个间隙(72)设置在接合区域(74)上，所述接合区域(74)是比其他浮置场区域(46)更大宽度的浮置场区域(46；74)。

12.根据任一前述权利要求所述的半导体器件，其中相邻浮置场区域(46)之间的间隔在相距有源区域(30)更大距离处比更靠近有源区(30)处的边缘区域(32)中更大。