[发明专利]光刻设备和器件制造方法无效

专利信息
申请号: 200680018029.6 申请日: 2006-03-23
公开(公告)号: CN101180582A 公开(公告)日: 2008-05-14
发明(设计)人: 埃瑞克·派卓斯·伯曼;汤姆斯·约瑟夫斯·玛丽亚·卡斯腾米勒;约翰尼斯·威尔荷尔姆斯·玛丽亚·科尼利斯·蒂尤乌森;贝尔雷切·莫爱斯特;马克·安东尼斯·玛丽亚·哈斯特 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王新华
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 光刻 设备 器件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种采用光刻设备将图案成像到衬底上的方法,包括步骤:

对辐射束进行图案化;

测量辐射束的波长变化;

基于所测量到的波长变化确定最好重叠条件;以及

基于所确定的最好重叠条件将图案化的辐射束投影到衬底上。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,确定最好重叠条件的步骤包括以下步骤:

采用图像传感器的垂直扫描确定所投影的图案化的辐射束的焦平面;以及

在图像传感器名义上位于焦平面内的同时,采用图像传感器进行水平扫描。

3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述图像传感器是透射图像传感器(TIS)。

4.根据权利要求2或3所述的方法,其中,所述确定焦平面的步骤包括检测光强的最大值的步骤,且其中在水平扫描过程中由图像传感器检测到的光强最大值与用于确定最好重叠条件的最佳对齐相对应。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的方法,其中,所述确定最好重叠条件的步骤包括:

在图像传感器的扫描过程中接收与所测量到的波长变化相对应的数据;以及

将数据应用到用于确定光强最大值的位置的曲线拟合过程。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,其中,所述波长变化包括随机的变化和波长啁啾其中之一。

7.一种校准光刻设备的方法,包括步骤:

采用传感器测量光刻设备中的透镜象差;

在测量透镜象差的过程中测量辐射束的波长变化;

采用所测量到的波长变化修正所测量到的透镜象差;以及基于所修正的透镜象差校准光刻设备。

8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述传感器是扫描器处的集成透镜干涉仪(ILIAS)。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法,其中,所述测量波长变化的步骤包括测量辐射束的谱的中心线的漂移的步骤。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的方法,其中,所述测量波长变化的步骤包括测量辐射束的连续脉冲对之间的变化。

11.根据权利要求1至8中任一项所述的方法,其中,所述测量波长变化的步骤包括测量辐射束的波长啁啾的步骤。

12.一种光刻投影设备,包括:

照射系统,其被配置用于调节辐射束;

支架,其被构造用于支撑图案形成装置,所述图案形成装置能够赋予辐射束横截面图案,以形成图案化的辐射束;

衬底台,其被构造用于保持衬底;

投影系统,其被配置用于将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上;

波长传感器,其被构造并设置用于测量辐射束的波长变化;

机内传感器系统,其被配置用于确定光刻设备的操作属性;以及

处理器,所述处理器与机内传感器系统相连,并被配置用于接收来自波长传感器的波长变化数据。

13.根据权利要求12所述的光刻投影设备,其中,所述处理器被配置用于执行至少下述操作之一:

实时地修正传感器的操作;以及

对从波长传感器和机内传感器收集到的数据进行后处理。

14.根据权利要求12或13所述的光刻投影设备,其中,所述机内传感器是透射图像传感器(TIS)。

15.根据权利要求14所述的光刻投影设备,其中,所述TIS被配置用于进行垂直扫描和水平扫描,且其中,所述处理器被配置用于应用曲线拟合过程,所述曲线拟合过程用于基于在水平扫描过程中收集的辐射强度数据确定峰值位置。

16.根据权利要求12至15中任一项所述的光刻投影设备,其中,所述波长变化数据与在一系列辐射脉冲中的焦平面的位置的变化相对应,且其中所述处理器被配置用于将波长变化数据应用于修改曲线拟合过程,其中确定峰值位置的操作得以改进。

17.根据权利要求12所述的光刻投影设备,其中,所述机内传感器是扫描器处的集成透镜干涉仪(ILIAS),其被配置用于测量光刻投影设备的透镜象差。

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