[发明专利]设置有复合透明上电极的、应用于照明或显示图像的发光面板有效
申请号: | 200680018114.2 | 申请日: | 2006-05-16 |
公开(公告)号: | CN101180922A | 公开(公告)日: | 2008-05-14 |
发明(设计)人: | 冈瑟·哈斯;贝努瓦·拉西尼;戴维·沃弗雷 | 申请(专利权)人: | 汤姆森特许公司 |
主分类号: | H05B33/26 | 分类号: | H05B33/26;H01J1/88;G09F9/33;H01L27/15 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 设置 复合 透明 电极 应用于 照明 显示 图像 发光 面板 | ||
1.一种照明或图像显示面板,包括:由基板(1)支撑的有机发光二极管的阵列(5、5’),与该基板和上电极(3)的阵列接触的至少一个下电极(15)的阵列,
其中,每个二极管(5、5’)包括有机电致发光层(2、2’),其夹置在下电极(15)和上电极(3)之间,其自身对于由该二极管发射的光透明,且其中所述上电极的至少一个(3)对于多个二极管(5、5’)公用并且包括与有机电致发光层(2、2’)接触的第一导电层(3 1)和第二导电层(33),在这两个导电层(31、33)之间夹置有透明缓冲层(32),
其特征在于,对于多个二极管公用的每个所述上电极(3),所述缓冲层(32)被窗口穿透,该窗口提供直接接触区域(4)用于该公共电极(3)的第一和第二导电层(31、33)之间的直接接触。
2.如权利要求1所述的面板,其特征在于,在每个二极管的该有源区域被限定为该二极管的该下电极和上电极之间的重叠区域,对于每个所述上电极(3),所述直接接触区域(4)不与具有公共的所述上电极的二极管的任意有源区域重叠。
3.如前面任一权利要求所述的面板,其特征在于,对于每个所述上电极(3),所述缓冲层的表面导电率小于所述上电极(3)的第二导电层(33)表面导电率的十分之一。
4.如前面任一权利要求所述的面板,其特征在于,对于每个所述上电极(3),所述缓冲层(32)的表面导电率小于所述上电极(3)的所述第一导电层(31)的表面导电率。
5.如前面任一权利要求所述的面板,其特征在于,对于每个所述上电极(3),所述缓冲层的材料从由氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和氧化钽形成的组中选择。
6.如前面任一权利要求所述的面板,其特征在于,对于每个所述上电极(3),所述第二导电层(33)的材料是氧化物基的。
7.如权利要求6所述的面板,其特征在于,所述氧化物从由混合锡铟氧化物(ITO)和混合锡锌氧化物(IZO)形成的组中选择。
8.如权利要求6或7所述的面板,其特征在于,所述第二导电层(33)的厚度等于或大于100nm。
9.如前面任一权利要求所述的面板,其特征在于,对于每个所述上电极(3),所述第一导电层(31)的材料是金属。
10.如权利要求9所述的面板,其特征在于,所述第一导电层(31)的厚度大于1nm但不超过20nm。
11.如前面任一权利要求所述的面板,其特征在于,对于每个所述上电极(3),所述第二导电层(33)的厚度大于所述第一导电层(31)的厚度。
12.如前面任一权利要求所述的面板,其特征在于,对于每个所述上电极(3),所述第二导电层(33)的表面导电率大于所述第一导电层(31)的表面导电率。
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