[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200680018146.2 | 申请日： | 2006-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101180734A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 杉本雅裕;加地彻;上杉勉;上田博之;副岛成雅 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
包含p型杂质的III-V族化合物半导体的第一半导体区；
III-V族化合物半导体的第二半导体区；以及
夹在第一半导体区和第二半导体区之间的杂质扩散抑制层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括面向第一半导体区的栅电极，杂质扩散抑制层和第二半导体区被夹在该栅电极与第一半导体区之间。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括夹在第二半导体区和栅电极之间的第三半导体区，
其中，第三半导体区由带隙比第二半导体区带隙更宽的III-V族化合物半导体制成。
4.一种半导体器件，具有结构，该结构包括：
第一半导体区；
杂质扩散抑制层；
第二半导体区；以及
栅电极，
其中，第一半导体区、杂质扩散抑制层、第二半导体区和栅电极按此顺序排列，
第一半导体区由包含p型杂质的III-V族化合物半导体制成，
第二半导体区由包含n型杂质的III-V族化合物半导体制成，以及
杂质扩散抑制层抑制p型杂质从第一半导体区中扩散到第二半导体区。
5.一种半导体器件，具有一种结构，该结构包括：
第一半导体区；
杂质扩散抑制层；
第二半导体区；
第三半导体区；以及
栅电极，
其中，第一半导体区、杂质扩散抑制层、第二半导体区、第三半导体区和栅电极按此顺序排列，
第一半导体区由包含p型杂质的III-V族化合物半导体制成，
第二半导体区由III-V族化合物半导体制成，
第三半导体区由带隙比第二半导体区带隙更宽的III-V族化合物半导体制成，以及
杂质扩散抑制层抑制p型杂质从第一半导体区中扩散到第二半导体区。
6.根据权利要求2或4所述的半导体器件，其中，
绝缘层被形成于第二半导体区和栅电极之间。
7.根据权利要求3或5所述的半导体器件，其中，
绝缘层被形成于第三半导体区和栅电极之间。
8.一种半导体器件，包括：
漏电极；
形成于漏电极上并由包含高浓度n型杂质的III-V族化合物半导体制成的漏层；
形成于漏层上并由包含低浓度n型杂质的III-V族化合物半导体制成的低浓度半导体区；
形成于低浓度半导体区上并由包含p型杂质的III-V族化合物半导体制成的多个第一半导体区，其中第一半导体区分布于低浓度半导体区上使得相邻的第一半导体区之间留有间隙；
形成于第一半导体区上的杂质扩散抑制层；
形成于低浓度半导体区和杂质扩散抑制层上的第二半导体区，其中第二半导体区由包含n型杂质的III-V族化合物半导体制成；
形成于第二半导体区的一部分上的栅绝缘层，其中第二半导体区的所述一部分面向第一半导体区；
形成于栅绝缘层上的栅电极；以及
与第二半导体区的一部分电气接触的源电极，其中第二半导体区的所述一部分面向第一半导体区。
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