[发明专利]导电性钙铝石型化合物的制造方法

权利要求书

1.导电性钙铝石型化合物的制造方法，它是具有将前体热处理的工序的导电性钙铝石型化合物的制造方法，其特征在于，

所述前体为玻璃质或结晶质，含有Ca及/或Sr以及Al，换算成氧化物(CaO与SrO的合计：Al₂O₃)的摩尔比为(12.6∶6.4)～(11.7∶7.3)，CaO、SrO以及Al₂O₃的合计在所述前体中的含有率为50摩尔％以上，并且所述方法包括将所述前体和还原剂混合，再将所述混合物在氧分压为10Pa以下的惰性气体或真空气氛中保持600～1415℃进行热处理的工序。

2.如权利要求1所述的导电性钙铝石型化合物的制造方法，其特征在于，所述前体为具有12CaO·7Al₂O₃这一代表组成、具有三维连接的由空隙构成的结晶结构的钙铝石型化合物，或者钙铝石型化合物的Ca和Al的一部分或全部被其它元素取代的同型化合物。

3.如权利要求1或2所述的导电性钙铝石型化合物的制造方法，其特征在于，所述前体含有的Al的一部分被相同原子数的Si或Ge取代。

4.如权利要求1～3中任一项所述的导电性钙铝石型化合物的制造方法，其特征在于，所述前体含有换算成氧化物的合计为0～17摩尔％的选自Si、Ge和B的至少1种；换算成氧化物的合计为0～5摩尔％的选自Li、Na和K的至少1种；换算成氧化物的合计为0～10摩尔％的选自Mg和Ba的至少1种；换算成氧化物的合计为0～8摩尔％的选自(选自Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb的至少1种的稀土类元素)以及(选自T、i、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Cu的至少1种过渡金属元素或典型金属元素)的至少1种。

5.如权利要求1～4中任一项所述的导电性钙铝石型化合物的制造方法，其特征在于，所述前体和所述还原剂是平均粒径为100μm以下的粉末。

6.如权利要求5所述的导电性钙铝石型化合物的制造方法，其特征在于，所述还原剂粉末为由碳形成的粉末，将所述前体粉末与碳粉混合，并对该混合物进行热处理，该碳粉的混合量使得碳原子数相对于所述前体粉末中的Ca、Sr和Al的合计原子数的比为0.2～11％。

7.如权利要求5所述的导电性钙铝石型化合物的制造方法，其特征在于，所述还原剂粉末为由金属形成的粉末。

8.如权利要求7所述的导电性钙铝石型化合物的制造方法，其特征在于，所述金属为铝，惰性气体至少含有Ar或He。