[发明专利]光记录介质

权利要求书

1.一种光记录介质，包括：

基片；和

放置在基片上的反射层，该反射层反射进入的激光束并且具有信息记录层，该信息记录层包括：

包含从Si、Ge和Sb的组中选择出来的一个或多个元素的第一信息记录层；和

包含Ag元素和从Si、Sb、Te、Ge和Al的组中选择出来的一个或多个元素的第二信息记录层。

2.如权利要求1所述的光记录介质，其中信息记录层包括一个或多个第一信息记录层和一个或多个第二信息记录层，并且所述第一信息记录层和第二信息记录层被交替地层压，使得在第一信息记录层和第二信息记录层之间的接触面的数目等于或者大于2。

3.如权利要求1所述的光记录介质，其中该信息记录层的厚度等于或者大于90并小于200。

4.如权利要求1所述的光记录介质，其中第一信息记录层的厚度相对于第二信息记录层的厚度的比值等于或者大于2。

5.如权利要求1所述的光记录介质，其中该信息记录层进一步包括记录灵敏度增速层，该记录灵敏度增速层包含从Sn、Zn、Pb、Bi、Ti、Te、Se、S、A1、Ga、Ge、Cd、I和In的组中选择出来的一个或多个元素。

6.如权利要求5所述的光记录介质，其中所述记录灵敏度增速层被层压以接触激光束首先经由其进入的第一信息记录层的表面的任何一个，并且其表面接近基片。

7.如权利要求5所述的光记录介质，其中所述记录灵敏度增速层被层压以接触激光束首先经由其进入的第二信息记录层的表面的任何一个，并且其表面接近基片。

8.如权利要求1所述的光记录介质，进一步包括：层压以接触激光束首先经由其进入的第一信息记录层的表面的至少一个的介质层，并且其表面接近基片。

9.如权利要求8所述的光记录介质，其中当介质层被层压在经由其激光束首先进入的信息记录层的层接触面上的时候，介质层的厚度大于0nm并且小于90nm。

10.如权利要求8所述的光记录介质，其中当介质层被层压在接近基片的信息记录层的层接触面之一的时候，该介质层的厚度大于0nm并且小于50nm。

11.如权利要求1所述的光记录介质，其中第一信息记录层包括从Si、Ge和Sb的组中选择出来的原子百分率为50或以上的一个元素。

12.如权利要求1所述的光记录介质，其中该光记录介质包括可记录的光记录介质。

13.一种光记录介质，包括：

基片；

放置在基片上以反射进入的激光束的反射层；

放置在反射层上的两个或多个信息记录层；和

层压在互相邻近的各个信息记录层之间的间隔层；

其中各个信息记录层的每个包括：

包含从Si、Ge和Sb的组中选择出来的一个或多个元素的第一信息记录层；和

包含Ag元素和从Si、Sb、Te和Al的组中选择出来的一个或多个元素的第二信息记录层。

14.如权利要求13所述的光记录介质，其中该信息记录层的一个的厚度等于或者大于90并且小于200。

15.如权利要求13所述的光记录介质，其中两个或多个信息记录层的一个的第一信息记录层的厚度相对于第二信息记录层的厚度的比值等于或者大于2。

16.如权利要求13所述的光记录介质，其中包含在两个或多个信息记录层中的第一信息记录层的厚度和第二信息记录层的厚度之间的比值，不同于包含在除了所述两个或更多个信息记录层之外的其它信息记录层的任何一个中的第一信息记录层的厚度和第二信息记录层的厚度之间的比值。

17.如权利要求13所述的光记录介质，其中包含在两个或多个信息记录层的任何一个中的第一信息记录层和第二信息记录层的厚度的总和，不同于包含在除了该信息记录层之外的其它信息记录层的任何一个中的第一信息记录层和第二信息记录层的厚度的总和。