[发明专利]晶体管及其驱动方法

权利要求书

1.一种晶体管，包括：第一半导体层，包含沟道区域；第二半导体层，设置在上述沟道区域上或上方，与上述沟道区域相比带隙大；控制区域，具有设置在上述第二半导体层内部、上述第二半导体层上、或上述第二半导体层上方的p型导电性；栅电极，以接触上述控制区域的一部分的方式设置；源电极和漏电极，设置在上述控制区域的两侧；其特征在于：

通过对上述栅电极及上述源电极施加正向偏压，在上述沟道区域中注入空穴，控制在上述源电极及上述漏电极之间流动的电流。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于：

上述第一半导体层、上述第二半导体层以及上述控制区域由含氮的化合物半导体构成。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于：

上述第一半导体层的内部且上述沟道区域的下方，设置与上述沟道区域相比带隙大的半导体层。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于：

在上述控制区域的内部，至少设置了具有p型导电性的杂质浓度不同的两个以上的区域，上述杂质浓度的梯度设定为向上增加。

5.一种晶体管的驱动方法，该晶体管包括：第一半导体层，包含沟道区域；第二半导体层，设置在上述沟道区域上或者上方，与上述沟道区域相比带隙大；控制区域，具有设置在上述第二半导体层内部、上述第二半导体层上、或上述第二半导体层上方的p型导电性；栅电极，以接触上述控制区域的一部分的方式设置；源电极和漏电极，设置在上述控制区域的两侧；其特征在于：

包含从上述控制区域或者上述第二半导体层向上述沟道区域注入空穴，通过上述沟道区域控制在上述源电极及上述漏电极之间流动的电流的步骤。

6.根据权利要求5所述的晶体管的驱动方法，其特征在于：

上述第一半导体层、上述第二半导体层以及上述控制区域由含氮的化合物半导体构成。