[发明专利]CMOS有源像素传感器共享的放大器像素有效

专利信息
申请号: 200680019262.6 申请日: 2006-05-31
公开(公告)号: CN101194363A 公开(公告)日: 2008-06-04
发明(设计)人: R·M·圭达什;R·姆鲁蒂昂亚亚;W·徐 申请(专利权)人: 伊斯曼柯达公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 程天正;张志醒
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: cmos 有源 像素 传感器 共享 放大器
【权利要求书】:

1.一种图像传感器,包括:

单位晶格,所述单位晶格具有多个像素;所述单位晶格包括:

(a)放大器输入晶体管,被所述多个像素共享;

(b)多个浮动扩散,被浮动扩散互连层接合,并且被连接到所述放大器输入晶体管;和

(c)互连层,形成输出信号线,所述输出信号线屏蔽所述浮动扩散互连层。

2.一种图像传感器,包括:

单位晶格,所述单位晶格具有多个像素,每个像素都包括光电探测器和传输门;所述单位晶格包括:

(a)多个浮动扩散,被浮动扩散互连层接合,其中在浮动扩散区中没有使用额外的P阱注入。

3.一种图像传感器,包括:

单位晶格,所述单位晶格具有多个像素,每个像素都包括光电探测器和传输门;所述单位晶格包括:

(a)多个浮动扩散,具有n型源极漏极注入,并且所述浮动扩散被浮动扩散互连层接合;其中n型注入包围所述n型源极漏极注入,以用于减小结电容。

4.根据权利要求3所述的图像传感器,其中所述n型注入被用于形成光电探测器。

5.根据权利要求2所述的图像传感器,其中所述浮动扩散具有n型源极漏极注入,并且所述浮动扩散被浮动扩散连接层接合;其中n型注入包围所述n型源极漏极注入以用于减小结电容。

6.根据权利要求5所述的图像传感器,其中所述n型注入被用于形成光电探测器。

7.一种照相机,包括:

图像传感器,所述图像传感器包括:

单位晶格,所述单位晶格具有多个像素;所述单位晶格包括:

(a)放大器输入晶体管,被多个像素共享;

(b)多个浮动扩散,被浮动扩散互连层接合,并且被连接到所述放大器输入晶体管;和

(c)互连层,形成输出信号线,所述输出信号线屏蔽所述浮动扩散互连层。

8.一种照相机,包括:

图像传感器,所述图像传感器包括:

单位晶格,所述单位晶格具有多个像素,每个像素都包括光电探测器和传输门;所述单位晶格包括:

(a)多个浮动扩散,被浮动扩散互连层接合;其中在浮动扩散区中没有使用额外的P阱注入。

9.一种照相机,包括:

图像传感器,所述图像传感器包括:

单位晶格,所述单位晶格具有多个像素,每个像素都包括光电探测器和传输门;所述单位晶格包括:

(a)多个浮动扩散,具有n型源极漏极注入,并且所述扩散区被浮动扩散互连层接合;其中n型注入包围所述n型源极漏极注入以用于减小结电容。

10.根据权利要求9所述的照相机,其中所述n型注入被用于形成光电探测器。

11.根据权利要求8所述的照相机,其中所述浮动扩散具有n型源极漏极注入,并且所述浮动扩散被浮动扩散互连层接合;其中n型注入包围所述n型源极漏极注入以用于减小结电容。

12.根据权利要求11所述的照相机,其中所述n型注入被用于形成所述光电探测器。

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