[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

容纳被处理基板的处理腔室；

在所述处理腔室内载置被处理基板的基板保持台；和

使从所述处理腔室的上部向载置在所述基板保持台上的被处理基板供给的处理气体的等离子体的流动弯曲的等离子体弯曲单元。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述等离子体弯曲单元，是将形成有多个贯通开口部的两块以上的板以该贯通开口部的位置不重合的方式配置而成。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述板由电介质构成。

4.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在所述两块以上的板之间，配置有调整板与板的间隔的间隔调整部件。

5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述间隔调整部件是环状部件。

6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述等离子体弯曲单元是由多孔质电介质构成的板。

7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述多孔质电介质的气孔率为70～80％。

8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，包括：

平面天线，该平面天线具有用于将微波导入所述处理腔室内的多个缝隙。

9.一种等离子体处理方法，其在等离子体氧化处理装置的处理腔室内，使含氧等离子体作用于被处理基板表面的硅从而进行氧化处理，形成硅氧化膜，其特征在于：

使用来使所述等离子体的流动弯曲的等离子体弯曲单元介于所述处理腔室内的等离子体发生区域和所述被处理基板之间，从而进行处理。

10.如权利要求9所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述等离子体弯曲单元，是将形成有多个贯通开口部的两块以上的板以该贯通开口部的位置不重合的方式配置而成。

11.如权利要求10所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述板由电介质构成。

12.如权利要求11所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述等离子体弯曲单元是由多孔质电介质构成的板。

13.如权利要求12所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述多孔质电介质的气孔率为70～80％。

14.如权利要求9所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所形成的氧化膜的膜厚为1nm以下。

15.如权利要求9所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述含氧等离子体通过由具有多个缝隙的平面天线向所述处理腔室内导入微波而形成。