[发明专利]聚酰亚胺薄膜、聚酰亚胺金属叠层体及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及聚酰亚胺薄膜、以及使用该聚酰亚胺薄膜的聚酰亚胺金属叠层体及其制造方法。详细地说，涉及聚酰亚胺薄膜与金属层之间通过粘接层的密合性优良，适用于高密度电路基板材料的聚酰亚胺金属叠层体及其制造方法。

背景技术

聚酰亚胺金属叠层体主要用作电路基板材料，可用于印刷电路板用基材、整体式悬挂基材、IC封装用布线基材、片状加热器、LCD用布线基材等。近年来，随着电子设备小型化、高密度化，增大了可高密度安装零件·元件的聚酰亚胺金属叠层板的利用。进而，由于电路进行高密度化，谋求使电路图案的线宽为10μm～50μm的微细化，因此期望金属层对聚酰亚胺薄膜的密合性优异的聚酰亚胺金属叠层体。在该电路基板材料的用途中，通常通过各种粘接剂使得聚酰亚胺薄膜与金属箔(例如，铜箔)粘接使用。但是，聚酰亚胺薄膜由于其化学结构及高度的耐化学试剂(溶剂)稳定性，即使通过粘接剂，与铜箔的粘接性不充分的情况也很多，因此现状是对聚酰亚胺薄膜实施各种表面处理(例如，偶合剂涂布处理、喷砂处理、电晕放电处理、等离子处理、碱处理等)后，通过粘接剂粘接金属箔。

通过偶合剂涂布处理进行表面处理的聚酰亚胺薄膜，具有由硅残渣引起的电特性降低的可能性。另外，喷砂处理在用于除去付着于聚酰亚胺薄膜的研磨剂的洗涤工序中存在问题。另一方面，电晕放电处理和等离子处理，由于其装置的简便而可能编入薄膜制膜装置(串联化)，作为有利的处理已发现了若干密合性的改善。但是，电晕放电处理或等离子处理的聚酰亚胺薄膜，在使用聚酰亚胺类的粘接剂作为粘接剂来粘接金属箔的场合，完全没有发现密合性的改善，作为实用的处理存在问题。

另外，已知有通过将聚酰亚胺薄膜的表面进行碱蚀刻，可改善与金属层的密合性的技术(参照专利文献1等)。但是，关于密合性的专利文献1中记载的内容，只有以下记载，即，只用单纯的碱性水溶液处理聚酰亚胺薄膜而密合性成为优良，而没有对该碱蚀刻液组成作任何研究，有时根据情况不同而密合性下降。

专利文献1：特表2004-533723号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于，提供一种聚酰亚胺薄膜，其能够通过聚酰亚胺类粘接剂以高密合性粘接金属箔；以及提供一种聚酰亚胺金属叠层体，其是在形成于该聚酰亚胺薄膜上的包含聚酰亚胺类粘接剂的层上，通过配置金属层，使金属层与聚酰亚胺薄膜的密合性优异。

解决问题的手段

本发明人为了改善上述问题进行深入研究，结果发现利用含有高锰酸盐的碱性水溶液进行表面处理的聚酰亚胺薄膜，通过聚酰亚胺类的粘接剂密合性良好地与金属箔粘接，至此完成本发明。

进而发现，通过在聚酰亚胺金属叠层体中应用该聚酰亚胺薄膜，可解决上述问题，所述聚酰亚胺金属叠层体包括：聚酰亚胺薄膜、与聚酰亚胺薄膜相接的包含热塑性聚酰亚胺的层、以及配置于包含热塑性聚酰亚胺的层的外侧的金属层，至此完成本发明。

即，本发明第一涉及以下的聚酰亚胺薄膜。

[1]通过聚酰亚胺类粘接剂粘接的聚酰亚胺薄膜，利用含有高锰酸盐的碱性水溶液进行表面处理的聚酰亚胺薄膜。

[2]如[1]所述的聚酰亚胺薄膜，上述碱性水溶液进一步含有氢氧化物。

[3]如[2]所述的聚酰亚胺薄膜，上述碱性水溶液中含有的高锰酸盐与氢氧化物的重量比例为9∶1～2∶8。

[4]如[2]所述的聚酰亚胺薄膜，上述高锰酸盐为高锰酸钾及高锰酸钠中的至少任一种，且上述氢氧化物为氢氧化钾及氢氧化钠中的至少任一种。

[5]如[1]所述的聚酰亚胺薄膜，上述聚酰亚胺薄膜含有作为酸二酐成分与二胺成分的缩聚物的聚酰亚胺，该酸二酐成分的50摩尔％以上为下述通式(1)所示的酸二酐，且该二胺成分的50摩尔％以上为下述通式(4)所示的二胺。

[化1]

(式(1)中，A表示下述式(2)或下述式(3)。)

[化2]

[化3]

[化4]

(式(4)中

n表示0或1的整数，

-X-表示-O-、-NHC(＝O)-或直接结合，

R表示氢原子、卤素原子、低级烷基或低级烷氧基，可以分别相同或不同。)

[6]如[1]～[5]的任一项所述的聚酰亚胺薄膜，上述聚酰亚胺类粘接剂包含热塑性聚酰亚胺或热塑性聚酰亚胺前体、以及下述通式(5)所示的双马来酰亚胺。

[化5]

(式(5)中

m表示0～4的整数，