[发明专利]半导体可交联聚合体组合物

权利要求书

1.一种半导体可交联聚合体组合物，所述组合物包括：

(a)具有至少0.15个乙烯基/1000个碳原子的不饱和聚烯烃，以及

(b)碳黑。

2.根据权利要求1所述的聚合体组合物，其特征在于，所述不饱和聚烯烃具有至少0.30个乙烯基/1000个碳原子。

3.根据权利要求1或2所述的聚合体组合物，其特征在于，所述组合物在90℃测量的体积电阻率低于500000 Ohm*cm。

4.根据前述权利要求中之一所述的聚合体组合物，其特征在于，所述不饱和聚烯烃是通过使烯烃单体与至少一种多不饱和共聚单体聚合而制得。

5.根据权利要求4所述的聚合体组合物，其特征在于，所述至少一种多不饱和共聚单体为二烯烃。

6.根据权利要求5所述的聚合体组合物，其特征在于，所述二烯烃选自1，7-辛二烯、1，9-癸二烯、1，13-十四烷二烯、7-甲基-1，6-辛二烯或其混合物。

7.根据权利要求4-6中之一所述的聚合体组合物，其特征在于，所述烯烃单体为乙烯。

8.根据权利要求7所述的聚合体组合物，其特征在于，所述不饱和聚乙烯是通过高压自由基聚合制得。

9.根据前述权利要求中之一所述的聚合体组合物，其特征在于，所述组合物含有基于半导体可交联聚合体组合物重量的10-45wt％的碳黑。

10.根据前述权利要求中之一所述的聚合体组合物，其特征在于，所述组合物还包括至少一种交联剂。

11.根据权利要求10所述的聚合体组合物，其特征在于，所述交联剂为一种过氧化物，所述过氧化物以基于半导体可交联聚合体组合物的重量低于1.0wt％的量存在。

12.一种半导体交联聚合体组合物，其特征在于，所述组合物是通过在交联条件下处理根据权利要求1-11中之一的半导体可交联聚合体组合物而获得。

13.根据权利要求12所述的聚合体组合物，其特征在于，所述组合物在90℃测量的体积电阻率低于500000 Ohm*cm。

14.根据权利要求12或13所述的聚合体组合物，其特征在于，所述组合物根据IEC 811-2-1测量的热延伸值低于300％。

15.一种用于制备多层物件的方法，其特征在于，所述方法包括步骤：

(a)提供根据权利要求1-9中之一所述的半导体可交联聚合体组合物，以及

(b)通过挤压涂覆所述半导体可交联聚合体组合物至基质上。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述半导体可交联聚合体组合物添加了一种交联剂。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述交联剂是在涂覆可交联的半导体聚合物组合物至基质上的过程中或之后添加的，并且添加是通过从含有交联剂的外部储存库移动而实施的。

18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述外部储存库也是涂覆在基质上的另一层，并且该层含有交联剂。

19.根据权利要求17或18所述的方法，其特征在于，所述半导体可交联聚合体组合物的挤压是在不存在交联剂时实施的。

20.根据权利要求16至19中之一所述的方法，其特征在于，在交联条件下处理所述半导体可交联聚合体组合物。

21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，所述半导体交联聚合体组合物根据IEC 811-2-1测量的热延伸值低于300％。

22.根据权利要求15至21中之一所述的方法，其特征在于，所述多层物件为电力电缆。

23.一种可交联多层物件，其特征在于，所述多层物件的至少一层含有根据权利要求1至11中之一的半导体可交联聚合体组合物。

24.一种交联多层物件，其特征在于，所述多层物件是通过在交联条件下处理根据权利要求23的可交联多层物件而获得。

25.根据权利要求24所述的物件，其特征在于，所述物件为电力电缆。