[发明专利]氢氟酸生成装置及氢氟酸生成方法无效
申请号: | 200680020302.9 | 申请日: | 2006-06-29 |
公开(公告)号: | CN101277899A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 仲喜治一 | 申请(专利权)人: | 日本顶点服务有限会社;堺钢板株式会社 |
主分类号: | C01B7/19 | 分类号: | C01B7/19;B01D3/00;C02F1/28 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 蒋亭;苗堃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氢氟酸 生成 装置 方法 | ||
1.一种氢氟酸生成装置,其利用以活性氧化铝及二氧化硅作为主成分的陶瓷系吸附剂,从含有氟离子的氟化合物或氟混合物中将氟离子进行吸附处理,并使用吸附处理后的吸附剂来生成氢氟酸;其中,具备蒸馏机构及冷却机构:
所述蒸馏机构添加所述吸附剂及强碱或强酸进行反应,并且添加结晶性二氧化硅来生成六氟硅酸气体,
所述冷却机构冷却由所述蒸馏机构所生成的六氟硅酸气体,并进行水解来生成氢氟酸。
2.权利要求1所述的氢氟酸生成装置,其中,所述蒸馏机构进一步添加磷酸。
3.权利要求1或2所述的氢氟酸生成装置,其中,所述蒸馏机构蒸馏操作的加热温度设定为110℃~160℃。
4.权利要求1~3中任一项所述的氢氟酸生成装置,其中,所述氢氟酸生成装置进一步包含清洗机构,该机构在所述蒸馏机构中蒸馏操作的加热温度达到130℃以上之后,利用水蒸气将六氟硅酸气体从所述蒸馏机构清洗至所述冷却机构。
5.权利要求4所述的氢氟酸生成装置,其中,所述清洗机构将水蒸气清洗的初期速度设定为1分钟送出相对于反应物总量约1/10以下的量的水蒸气的速度,并阶段性地加快清洗速度,在由冷却机构所生成的氢氟酸量相对于所述反应物总量达到约1~5倍的阶段,停止水蒸气的清洗。
6.权利要求4或5所述的氢氟酸生成装置,其中,所述冷却机构在1℃~20℃的范围将六氟硅酸气体及水蒸气液化来获得氢氟酸。
7.一种氢氟酸生成方法,其利用以活性氧化铝及二氧化硅作为主成分的陶瓷系吸附剂,从含有氟离子的氟化合物或氟混合物中,将氟离子进行吸附处理至吸附饱和,并使用吸附处理后的吸附剂来使氢氟酸再生;其中,具有蒸馏工序及冷却工序,所述蒸馏工序阶段性一定量地添加所述吸附剂及强碱或强酸进行反应,并进一步添加微量的结晶性二氧化硅及磷酸进行反应来暂时生成六氟硅酸,所述冷却工序一面将已生成的六氟硅酸冷却并液化,一面使其水解来生成氢氟酸。
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