[发明专利]使等离子体－生成的离子偏转以防止离子到达EUV光源的内部元件的系统和方法

权利要求书

1.一种用于保护EUV光源内部元件免受在等离子体形成位置上所产生且最初被引向内部元件的离子的影响的系统，所述系统包括：

至少一个箔片，插入在内部元件和等离子体形成位置之间，所述箔片具有一个基本上沿着从等离子体形成位置到内部元件延伸的线对准的表面；以及

磁源，用于产生磁场以便于将离子偏转到箔片表面上。

2.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述表面基本上是平的。

3.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述磁场是第一磁场，并且所述系统还包括用于产生第二磁场的第二磁源，以便于将离子偏转到箔片表面上，所述第二磁场的取向基本上垂直于所述第一磁场。

4.如权利要求3所述的系统，其特征在于，所述元件定义一个轴，所述等离子体形成位置处于所述轴上，并且所述第一磁场是基本均匀的磁场，且其所具有的磁场线在所述等离子体形成位置处取向成基本垂直于所述轴。

5.如权利要求4所述的系统，其特征在于，所述第二磁场是基本均匀的磁场，且其所具有的磁场线在离所述等离子体形成位置一段距离处取向成基本垂直于所述轴。

6.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述至少一个箔片是多个空间上相互分开的箔片，各个所述箔片都具有基本上沿着从等离子体形成位置到内部元件延伸的各个线对准的表面。

7.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述内部元件是镜面。

8.如权利要求7所述的系统，其特征在于，所述镜面是椭圆形的。

9.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述内部元件定义一个轴，所述等离子体形成位置处于所述轴上，并且各个所述箔片表面基本上相对于所述轴径向地对准。

10.如权利要求1所述的系统，其特征在于，还包括气体源，用于提供在所述等离子体形成位置和所述内部元件之间的气体分子，所述气体分子用于与等离子体碎片粒子碰撞以将所述粒子偏转到所述箔片中。

11.一种用于保护EUV光源内部元件免受在等离子体形成位置上所产生且最初被引向内部元件的离子的影响的系统，所述系统包括：

静电栅格，定位成用于与所述离子相互作用以减小离子能量；以及

磁源，用于产生磁场，以便于将减小能量的离子偏转到所述离子不会撞击内部元件的路径上。

12.如权利要求11所述的系统，其特征在于，所述内部元件是镜面。

13.如权利要求12所述的系统，其特征在于，所述镜面是椭圆形的。

14.如权利要求11所述的系统，其特征在于，所述磁源包括至少一个永久磁体。

15.如权利要求14所述的系统，其特征在于，所述静电栅格和磁源协作以减慢2KeV离子，并使这些离子从从初始的路径偏转到一偏转路径，其中所述偏转路径以至少偏离所述初始路径45度的角度倾斜。

16.一种用于保护EUV光源内部元件免受在等离子体形成位置处所产生的离子的影响的系统，所述等离子体形成位置发射电子脉冲之后便是离子脉冲，所述系统包括：

栅格，定位在离等离子体形成位置距离d处，所述栅格取向成与所述离子相互作用以减小离子的能量；以及

电路，电连接着所述栅格并且调谐到谐振频率，所述谐振频率基本上等于在电子脉冲和离子脉冲到达栅格之间的时间延迟的倒数。

17.如权利要求16所述的系统，其特征在于，激光生成的等离子体是在等离子体形成位置处由脉冲激光源建立的，并且所述电路与所述脉冲激光源同步。

18.如权利要求16所述的系统，其特征在于，还包括磁源，用于在所述栅格和内部元件之间产生磁场，以便于将减小能量的离子偏转到所述离子不会撞击内部元件的路径上。

19.如权利要求16所述的系统，其特征在于，所述离子是具有大约2.3KeV平均能量的Sn，而所述谐振频率是大约1Mhz。

20.如权利要求16所述的系统，其特征在于，所述电路包括用于驱动所述电路的振荡器。