[发明专利]电荷平衡场效应晶体管

权利要求书

1.一种形成FET的方法，包括：

为第一导电类型的半导体区提供在所述半导体区上延伸 的第二导电类型的外延层；

形成延伸穿过所述外延层并在所述半导体区中停止的沟 槽；

执行所述第一导电类型的掺杂物的双通道倾斜注入，从而 沿所述沟槽的侧壁形成第一导电类型的区域；

执行所述第二导电类型的掺杂物的阈值电压调节注入，从 而将第一导电类型的所述区域沿所述沟槽的上侧壁延伸的部 分的导电类型转变为所述第二导电类型；以及

在所述沟槽的每一侧的侧面形成所述第一导电类型的源 区。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述沟槽的下部中形成屏蔽电极，以使所述屏蔽电极的 上部在所述外延层中延伸，使所述屏蔽电极的下部在所述半导 体区中延伸，所述屏蔽电极通过屏蔽绝缘物与所述外延层和所 述半导体区绝缘；

沿所述沟槽的上侧壁形成栅绝缘层；以及

在所述沟槽中形成栅电极，位于所述屏蔽电极之上，但与 所述屏蔽电极绝缘。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述外延层形成所述第二导电类型的重体区；

形成在所述沟槽和每个源区的一部分之上延伸的绝缘帽； 以及

形成接触所述源区和所述重体区的源互连层。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述执行双通道倾斜注入的步骤之前，执行所述第二导 电类型的掺杂物的双通道倾斜注入，从而沿沟槽侧壁形成第二 导电类型的区域；

其中，所述第二导电类型的区域比所述第一导电类型的区 域横向延伸的更远；以及

其中，选择所述第一导电类型的掺杂物的双通道倾斜注入 和所述第二导电类型的掺杂物的双通道倾斜注入的掺杂浓度， 从而在所述第一导电类型的区域和所述第二导电类型的区域 之间获得大致的电荷平衡。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电类型是n型， 所述第二导电类型是p型。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体区是高掺杂衬 底。

7.一种形成MOSFET的方法，包括：

提供第一导电类型的衬底；

在所述衬底之上形成第二导电类型的外延层；

形成延伸穿过所述外延层并在所述衬底中停止的沟槽；

执行所述第一导电类型的掺杂物的双通道倾斜注入，从而 沿所述沟槽的侧壁形成第一导电类型的区域；

在所述沟槽的下部形成屏蔽电极，从而使得所述屏蔽电极 的上部在所述外延层中延伸，所述屏蔽电极的下部在所述衬底 中延伸，所述屏蔽电极通过屏蔽绝缘物与所述外延层和所述衬 底绝缘；

沿所述沟槽的上侧壁形成栅绝缘层；

在所述沟槽中形成栅电极，位于所述屏蔽电极之上，但与 所述屏蔽电极绝缘；

执行所述第二导电类型的掺杂物的阈值电压调节注入，从 而将所述第一导电类型的所述区域沿所述沟槽的上侧壁延伸 的部分的导电类型转变为所述第二导电类型；以及

在所述沟槽的每一侧的侧面形成所述第一导电类型的源 区。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

在所述外延层形成所述第二导电类型的重体区；

形成在所述沟槽和每个源区的一部分之上延伸的绝缘帽； 以及

形成接触所述源区和所述重体区的源互连层。