[发明专利]对第一有效NAND命令的配置最终确定

说明书

技术领域

本发明大体上涉及存储器，且特定来说本发明涉及存储器中电路的启动配置。

背景技术

NAND装置正变得越来越普遍，且开始进入嵌入式领域。这正在将此类电路中的电压操作范围从典型的3伏范围向1.8伏范围扩展。对于所述操作区，在集成电路或NAND装置开始操作之前重设所有电路的加电重设(POR)电路必须以低得多的电压接通。由于过程和温度的变化，这些电路的断路点显著变化在一些情况下达到近似1伏的范围。这对于存储器电路的可靠操作来说是非常低的。许多配置寄存器和其它组件需要在加电时设定，包含(仅举例来说而不作为限制)冗余熔断器、其它功能熔断器或需要在加电时检测的引脚，其改变装置与外部世界通信的方式。

因为这些类型的存储器装置的电流消耗非常低，所以对熔断器的读取具有进一步风险。在一些情况下，电流消耗低于一微安。用非常低的电流在非常低的电压下读取或配置此类电路最好情况下也是不可靠的，且可能导致许多潜在的问题。

NAND装置的问题之一在于，由于其具有平均小于一微安的非常低的功率消耗，因此每个或几乎每个电路在并非需要其用于操作时必须关断。此外，存在结泄漏的问题。使每个电路关断是个问题，因为某些电路元件、节点和装置需要在操作之前预先调节。

在典型电路中遇到几个难点。内部熔断器是其中之一。在许多情况下，在加电时读取熔断器。存储器中的内部熔断器用于隔开存储器内的电压或其它条件。通过NOR单元技术，在加电期间，用锁存器等唤醒电路组件、节点等。在加电时或在POR时，锁存器的一侧被下拉，这使锁存器翻转。参看图1，展示锁存器100，其具有POR电路102以及编程和擦除电路104和106。对锁存器100的一个输入是编程输入，且对锁存器的一个输入是擦除输入。在使用图1的锁存器和电路的存储器的操作期间，图1的电路是可接受的。

然而，POR必须足够低以使得其决不会移到装置的操作范围中。在1.5伏是最低Vcc范围的电路中，这进一步限制了POR电压，因为存在大约十分之三到十分之四伏的固有过程变化和温度变化。因此，为了将POR保持在电压操作范围以外，POR必须设定在1伏左右。在装置中阈值电压较高，大约0.8到0.9伏的情况下，POR电压非常接近于当装置接通时的电压。使用POR来尝试设定电压和配置启动条件及预调节变得非常困难，因为如果过程边限即使移动较小量，也不能读取熔断器或电路。

用低操作电压解决所述问题的其它尝试包含完全消除POR，如图2所示。然而，在NAND装置中，由于NAND配置成块，因此单一单元无法执行工作。在此配置中，比如作为擦除单元(元件202)的64个单元和作为编程单元(元件204)的64个单元的微型阵列连接到锁存器200的输入。如果所有编程均是擦除编程，那么降到0的锁存器侧不会受到影响。也就是说，作为擦除的64个单元将把锁存器的一侧拉到0，且锁存器的另一侧理论上变高，且不会有电流消耗。然而，如果在单元中任一者上存在即使轻微的泄漏，也会在一侧拉动一定量的电流，所述侧快速开始消耗1微安左右的有限电流。

图3中展示对处理尤其是图2的问题的另一建议，图3中存在通过电阻器306和308连接到地的垫302和304。如果没有任何东西接触垫，那么其二者将为低。然而，当将垫堆叠时，某一者可能在堆叠之后连接到Vcc。如果迫使垫为高，那么由于引发电流通过电阻器，所述电阻器再次开始消耗可用的有限电流，因此仍然存在泄漏问题。

出于以上陈述的原因，且出于下文中陈述的所属领域的技术人员在阅读和理解本说明书之后将明了的其它原因，此项技术中需要一种低电流消耗操作NAND配置。

发明内容

本发明解决装置配置的上述问题和其它问题，且通过阅读和学习以下说明书将理解所述问题。

在一个实施例中，一种配置存储器装置的方法包含：在加电时开始配置序列；识别对所述存储器装置的第一有效命令；以及在识别所述第一有效命令之后终止所述存储器装置的配置。

在另一实施例中，一种初始化NAND装置的方法包含：使用高电流配置电路用于启动操作，直到发布有效命令为止；以及当发布有效命令时切断所述高电流配置电路。

在又一实施例中，一种在启动期间向存储器装置提供额外电流的方法包含：在加电时用大于操作电流消耗电平的第一电流消耗电平来开始配置序列；识别对所述存储器装置的第一有效命令；在识别所述第一有效命令之后终止处于所述第一电流消耗电平的存储器装置的配置；以及用所述操作电流消耗电平继续所述存储器装置的操作。