[发明专利]包括二极管和电阻切换材料的非易失性存储器单元有效
| 申请号： | 200680020806.0 | 申请日： | 2006-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN101208752A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | S·布拉德·赫纳;坦迈·库马尔;克里斯托弗·J·佩蒂 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D公司 |
| 主分类号： | G11C13/02 | 分类号： | G11C13/02;H01L27/102;H01L23/525;H01L27/24;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包括 二极管 电阻 切换 材料 非易失性存储器 单元 | ||
1.一种非易失性存储器单元，其包括：
二极管；以及
电阻切换元件，其包括电阻率切换金属氧化物或氮化物化合物层，所述金属氧化物或氮化物化合物仅包含一种金属，其中所述二极管和电阻切换元件是所述存储器单元的部分。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器单元，其中所述金属氧化物或氮化物化合物选自由以下物质组成的群组：NixOy、NbxOy、TixOy、HfxOy、AlxOy、MgxOy、CoxOy、CrxOy、VxOy、ZnxOy、ZrxOy、BxNy和AlxNy。
3.根据权利要求1所述的非易失性存储器单元，其中所述二极管和所述电阻切换元件串联连接。
4.根据权利要求3所述的非易失性存储器单元，其中所述二极管和所述电阻切换元件设置在第一导体与第二导体之间。
5.根据权利要求4所述的非易失性存储器单元，其中所述第二导体在所述第一导体上方，且所述二极管和所述电阻切换元件垂直设置在所述第二导体与所述第一导体之间。
6.根据权利要求5所述的非易失性存储器单元，其中所述二极管在所述电阻切换元件上方。
7.根据权利要求5所述的非易失性存储器单元，其中所述电阻切换元件在所述二极管上方。
8.根据权利要求5所述的非易失性存储器单元，其进一步包括支柱，其中所述二极管驻留在所述支柱中且垂直定向。
9.根据权利要求8所述的非易失性存储器单元，其中所述第一导体和所述第二导体为轨道形状。
10.根据权利要求9所述的非易失性存储器单元，其中所述第一导体在第一方向上延伸，且所述第二导体在与所述第一方向不同的第二方向上延伸。
11.根据权利要求10所述的非易失性存储器单元，其中所述电阻切换元件设置在所述支柱中。
12.根据权利要求10所述的非易失性存储器单元，其中所述电阻切换元件为轨道形状，设置在所述第二导体与所述二极管之间，且在所述第二方向上延伸。
13.根据权利要求10所述的非易失性存储器单元，其中所述电阻切换元件为轨道形状，设置在所述第一导体与所述二极管之间，且在所述第一方向上延伸。
14.根据权利要求8所述的非易失性存储器单元，其中所述第一导体或所述第二导体包括铝。
15.根据权利要求8所述的非易失性存储器单元，其中所述第一导体或所述第二导体包括钨。
16.根据权利要求3所述的非易失性存储器单元，其中所述二极管为半导体结二极管。
17.根据权利要求16所述的非易失性存储器单元，其中所述半导体结二极管包括硅、锗或者硅或锗合金。
18.根据权利要求17所述的非易失性存储器单元，其中所述硅、锗或者硅或锗合金不是单晶的。
19.根据权利要求18所述的非易失性存储器单元，其中所述硅、锗或者硅或锗合金是多晶的。
20.根据权利要求17所述的非易失性存储器单元，其中所述半导体结二极管垂直定向，包括具有第一导电类型的底部重掺杂区、中间本征或轻掺杂区以及具有第二导电类型的顶部重掺杂区。
21.根据权利要求17所述的非易失性存储器单元，其中所述半导体结二极管是Zener二极管。
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