[发明专利]制造GaxIn1－xN（0≤x≤1）晶体的方法、GaxIn1－xN（0≤x≤1）结晶衬底、制造GaN晶体的方法、GaN结晶衬底和产品

权利要求书

1.一种制造Ga_xIn_1-xN(0≤x≤1)晶体(12)的方法，该方法通过在石英反应管(1)中，通过包含卤化镓气体与卤化铟气体中至少一种以及氨气的材料气体的反应，在基衬底(7)的表面上生长Ga_xIn_1-xN(0≤x≤1)晶体(12)来制造Ga_xIn_1-xN(0≤x≤1)晶体，其中在所述Ga_xIn_1-xN(0≤x≤1)晶体(12)的生长期间，外部地加热所述石英反应管(1)并且单独地加热所述基衬底(7)。

2.根据权利要求1的制造Ga_xIn_1-xN(0≤x≤1)晶体(12)的方法，其中所述基衬底(7)通过设置在所述基衬底(7)背面侧上的加热器(11)单独加热。

3.根据权利要求1的制造Ga_xIn_1-xN(0≤x≤1)晶体(12)的方法，其中所述基衬底(7)通过利用高频感应加热系统单独加热。

4.根据权利要求1的制造Ga_xIn_1-xN(0≤x≤1)晶体(12)的方法，其中所述卤化镓气体通过镓和卤素气体之间的反应而形成。

5.根据权利要求4的制造Ga_xIn_1-xN(0≤x≤1)晶体(12)的方法，其中所述卤素气体是氯化氢气体。

6.根据权利要求1的制造Ga_xIn_1-xN(0≤x≤1)晶体(12)的方法，其中所述卤化铟气体通过铟和卤素气体之间的反应而形成。

7.根据权利要求6的制造Ga_xIn_1-xN(0≤x≤1)晶体(12)的方法，其中所述卤素气体是氯化氢气体。

8.根据权利要求1的制造Ga_xIn_1-xN(0≤x≤1)晶体(12)的方法，其中所述基衬底(7)由硅、蓝宝石、碳化硅、氮化镓和氮化铝中的任何一种制成。

9.根据权利要求1的制造Ga_xIn_1-xN(0≤x≤1)晶体(12)的方法，其中生长的Ga_xIn_1-xN(0≤x≤1)晶体(12)具有1×10¹⁸cm^-3或更低的杂质浓度。

10.根据权利要求1的制造Ga_xIn_1-xN(0≤x≤1)晶体(12)的方法，其中生长的Ga_xIn_1-xN(0≤x≤1)晶体(12)包含1×10¹⁷cm^-3或更高浓度的选自由碳、镁、铁、铍、锌、钒和锑组成的组中的至少一种作为杂质，并且具有1×10⁴Ωcm或更高的电阻率。

11.根据权利要求1的制造Ga_xIn_1-xN(0≤x≤1)晶体(12)的方法，其中使Ga_xIn_1-xN(0≤x≤1)晶体(12)生长为掺杂有n型杂质。

12.根据权利要求11的制造Ga_xIn_1-xN(0≤x≤1)晶体(12)的方法，其中生长的Ga_xIn_1-xN(0≤x≤1)晶体包含1×10¹⁷cm^-3或更高浓度的选自由氧、硅、硫、锗、硒和碲组成的组中的至少一种作为所述n型杂质，并且具有1Ωcm或更低的电阻率。