[发明专利]层序列及制造层序列的方法无效

专利信息
申请号: 200680020913.3 申请日: 2006-06-12
公开(公告)号: CN101194361A 公开(公告)日: 2008-06-04
发明(设计)人: 托马斯·郎格;约尔格·西雷;迈克尔·罗瑟;特斯坦·克雷尔 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱进桂
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 序列 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种层序列(400),包括:

铝层(300);

镍层(301);

镍层保护层(302;701);

其中铝层(300)可形成在衬底(200)上;

其中镍层(301)形成在铝层(300)上;

其中镍层保护层(302;701)形成在镍层(301)上。

2.根据权利要求1的层序列(400),还包括衬底(200)。

3.根据权利要求2的层序列(400),其中衬底(200)是半导体衬底。

4.根据权利要求2的层序列(400),其中衬底(200)是硅衬底或锗衬底。

5.根据权利要求2的层序列(400),其中在衬底(200)上和/或衬底(200)中形成集成电路,其中铝层(300)与集成电路电耦合。

6.根据权利要求5的层序列(400),其中在衬底的表面上形成至少一个键合焊盘,连接铝层(300)和集成电路。

7.根据权利要求1的层序列(400),其中镍层保护层是钛层(302)。

8.根据权利要求7的层序列(400),其中对钛层(302)图案化,使得镍层(301)露出。

9.根据权利要求1的层序列(700),其中镍层保护层是银层(701)。

10.根据权利要求1的层序列(400),包括在镍层保护层(302;701)上形成、或在铝层(300)上形成的钝化层(303)。

11.根据权利要求1的层序列(400),其中钝化层(303)是氮化硅层。

12.根据权利要求8的层序列(400),其中对钝化层(303)图案化,使得镍层(301)或镍层保护层(302;701)露出。

13.根据权利要求1的层序列(500),包括在镍层(301)上或在镍层保护层(302;701)上的焊料结构(501)。

14.根据权利要求13的层序列(500),其中焊料结构(501)包括锡。

15.根据权利要求1的层序列(400)用作凸块下金属化物。

16.一种制造层序列(400)的方法,其中该方法包括以下步骤:

在衬底(200)上形成铝层(300);

在铝层(300)上形成镍层(301);

在镍层(301)上形成镍层保护层(302;701)。

17.根据权利要求16的方法,包括在镍层保护层(302;701)上或在铝层(300)上形成钝化层(303)的步骤。

18.根据权利要求16的方法,包括在镍层(301)上或在镍层保护层(302;701)上形成焊料结构(501)的步骤。

19.根据权利要求16的方法,该方法被集成到在衬底上和/或在衬底中制造集成电路的工艺中。

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