[发明专利]光致抗蚀剂显影液及使用该显影液的基板的制造方法有效
申请号: | 200680021234.8 | 申请日: | 2006-06-13 |
公开(公告)号: | CN101213493A | 公开(公告)日: | 2008-07-02 |
发明(设计)人: | 尾前俊吉;东野诚司;大谷俊明;名康隆 | 申请(专利权)人: | 株式会社德山 |
主分类号: | G03F7/32 | 分类号: | G03F7/32;G03F7/40;H01L21/027 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光致抗蚀剂 显影液 使用 制造 方法 | ||
1.一种光致抗蚀剂显影液,其为含有非离子性表面活性剂和铵化合物的碱性水溶液所构成的光致抗蚀剂显影液,其中,
所述非离子性表面活性剂为具有1种或2种以上氧化烯基的重复结构、且具有11~70单元该氧化烯基的非离子性表面活性剂,其含量在以所述光致抗蚀剂显影液总质量为100质量%时为0.5~10质量%,
所述铵化合物为下述通式(1)所示的铵化合物,其含量在以所述光致抗蚀剂显影液总质量为100质量%时为0.01~5.0质量%。
(式(1)中,R1为碳原子数4~40的有机基,R2、R3和R4各自独立为碳原子数1~20的有机基或者其中2个或3个相互键合形成碳原子数4~20的杂环,X为OH、Cl、Br或I。)
2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂显影液,所述非离子性表面活性剂为下述通式(2)所示的非离子性表面活性剂。
R5-Z-{(YO)b-R6}a (2)
(式(2)中,a为1或2,当a为1时,b为11~70,当a为2时,b为使两个{(YO)b-R6}所具有的(YO)总计成为11~70的整数;R5和R6为氢原子或碳原子数1~40的有机基;Z为(a+1)价的杂原子,Y为碳原子数2~4的亚烷基;在一个分子中,所有的YO可以相同也可以是不同的2种以上的组合,另外,当a为2时,两个{(YO)b-R6}可以相互相同也可以不同。)
3.根据权利要求1或2所述的光致抗蚀剂显影液,通式(1)中的R1为-CH2-Ar(其中,Ar为碳原子数6~10的芳香族烃基)所示的烃基。
4.根据权利要求1~3任一项所述的光致抗蚀剂显影液,通式(2)中的R5为具有至少2个苯环的烃基。
5.根据权利要求1~4任一项所述的光致抗蚀剂显影液,其为用于对厚度为3μm~100μm的被曝光的光致抗蚀剂层进行显影的显影液。
6.一种光致抗蚀剂显影方法,其使用权利要求1~5任一项所述的光致抗蚀剂显影液,对厚度为3μm~100μm的被曝光的光致抗蚀剂层进行显影。
7.一种基板的制造方法,其为使用光刻法制造图案化基板的方法,所述光刻法包含以下工序:抗蚀剂涂布工序,该工序在基板表面上涂布光致抗蚀剂;曝光工序,该工序通过具有规定图案的光掩模向所述涂布工序涂布的光致抗蚀剂照射光;光致抗蚀剂显影工序,该工序除去所述曝光工序中被曝光的光致抗蚀剂层的曝光区域或未曝光区域,形成对应于所述光掩模的图案的抗蚀剂图案;加工工序,该工序在表面具有所述显影工序中获得的抗蚀剂图案的基板的未被该抗蚀剂图案覆盖的区域实施刻蚀加工或镀敷加工;
其中,所述抗蚀剂涂布工序中在基板表面形成厚度为3μm~100μm的光致抗蚀剂层,并且在所述显影工序中使用权利要求1~5任一项所述的光致抗蚀剂显影液除去光致抗蚀剂层的曝光区域或未曝光区域。
8.根据权利要求7所述的基板的制造方法,其以多级进行使用权利要求1~5任一项所述的光致抗蚀剂显影液的光致抗蚀剂层的曝光区域或未曝光区域的除去。
9.一种光致抗蚀剂显影液,其为由含有非离子性表面活性剂和2种以上铵阳离子的碱性水溶液所构成的光致抗蚀剂显影液,该光致抗蚀剂显影液由将下述物质溶解于水中而可获得的碱性水溶液所构成:
具有1种或2种以上氧化烯基的重复结构、且具有11~70单元该氧化烯基的非离子性表面活性剂,以上述光致抗蚀剂显影液总质量为100质量%时为0.5~10质量%的量;
下述通式(1)所示的铵化合物,以上述光致抗蚀剂显影液总质量为100质量%时为0.01~5.0质量%的量;
(式(1)中,R1为碳原子数4~40的有机基,R2、R3和R4各自独立为碳原子数1~20的有机基或者其中2个或3个相互键合形成碳原子数4~20的杂环,X为OH、Cl、Br或I。)
以及,
下述式(3)所示的铵化合物,以上述光致抗蚀剂显影液总质量为100质量%时为0.1~10质量%的量。
(式(3)中,R11、R12、R13和R14各自独立为氢原子或碳原子数1~3的有机基。)
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