[发明专利]制作铁电存储器件的方法

权利要求书

1.一种制造铁电存储器件的方法，其中该存储器件包括：铁电存储单元阵列，该阵列被限定在铁电聚合物薄膜的图案化的或未图案化的层中；以及与其相对侧的铁电层接触设置的第一和第二组电极，使得该铁电存储单元被限定在第一组电极与第二组电极的交叉之间的存储材料中，由此能够设置该存储单元的极化状态，通过将适当的电压施加到与存储单元相接触的电极来切换并检测一组极化状态，其中，该存储器件形成于绝缘衬底上，并且其中所述方法的特征在于：

包含连续的步骤：a)将第一印刷墨水施加到第一印刷装置，并将该第一印刷装置施加到衬底，以便在其上印刷第一电极层，从而形成第一组电极，b)将第二印刷墨水施加到第二印刷装置，并将该第二印刷装置施加到第一电极层，并在其上印刷图案化的或未图案化的存储材料层，以及c)将第三印刷墨水施加到第三印刷装置，并将该第三印刷装置施加到存储层，并且在其上印刷第二电极装置，由此步骤a)，b)和c)的一个或多个中的印刷通过喷墨印刷、丝网印刷、柔性版印刷、胶版印刷、静电印刷、软平版印刷、激光印刷或喷蜡印刷，单独地或者组合地来执行。

2.根据权要求1的方法，其特征在于在步骤a)-c)中的两个或更多个中使用相同的印刷装置。

3.根据权利要求1的方法，其特征在于在步骤a)-c)中的每一个中使用不同的印刷装置。

4.根据权利要求1的方法，其特征在于将相同的印刷墨水应用为第一和第三印刷墨水。

5.根据权利要求1的方法，其特征在于第一和第二印刷墨水包含导电材料。

6.根据权利要求5的方法，其特征在于将导电材料选择为无机导电材料。

7.根据权利要求5的方法，其特征在于将导电材料选择为导电有机材料。

8.根据权利要求7的方法，其特征在于将导电有机材料选择为导电聚合物。

9.根据权要求8的方法，其特征在于将导电聚合物选择为聚吡咯(PPy)、聚吡咯的衍生物、聚苯胺、聚苯胺的衍生物、聚噻吩和聚噻吩的衍生物中的一种，单独地或者组合地。

10.根据权利要求9的方法，其特征在于选择聚(3，4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)作为聚噻吩的衍生物。

11.根据权利要求1的方法，其特征在于第二印刷墨水包含有机铁电材料。

12.根据权利要求11的方法，其特征在于将有机铁电材料选择为低聚物、共聚物或三元共聚物中的一种，或其混合物或合成物。

13.根据权利要求12的方法，其特征在于将有机铁电材料选择为聚偏氟乙烯和三氟乙烯(P(VDF-TrFE))的共聚物。

14.根据权利要求1的方法，其特征在于在至少第一电极层和存储层之间提供未图案化的功能性夹层。

15.根据权利要求14的方法，其特征在于将该功能性夹层选择为由金属、金属氧化物、有机高ε的材料或导电聚合物中的一种或它们的组合制成。

16.根据权利要求15的方法，其特征在于将该导电聚合物选择为PEDOT。

17.根据权利要求14的方法，其特征在于将包括功能性夹层材料的第四印刷墨水施加到印刷装置，并将该印刷装置施加到在步骤a)中印刷的第一电极层，并将动能性夹层印刷到该第一电极层之上。

18.根据权利要求17的方法，其特征在于将第四印刷墨水施加到印刷装置，并将该印刷装置随后施加到在步骤b)中印刷的存储层，并将功能性夹层印刷到该存储层之上。

19.根据权利要求1的方法，其特征在于重复步骤b)和c)至少一次，由此第二电吸层形成接连的存储层的第一电极层等等，实现叠置的存储器件。