[发明专利]数据存储装置

权利要求书

1.一种非易失性电数据存储装置，包括提供作为物理上分离的单元的卡片状存储单元和读/写单元，其中存储单元包括在跨越存储材料施加电场时，能够获得至少两个相异物理状态和/或被设置为其任一种状态或在其间进行切换的存储材料层，其中所述至少两个相异物理状态由阻抗值或极化值表征，其中电场施加在特定的位置并且具有特定的方向，以便在存储材料的体积中在用于存储由通过施加的电场分配给设置在存储单元中的相异物理状态的逻辑值给出的数据的特定位置处限定具有确定范围的存储单元，其中逻辑值可以通过跨越存储单元施加电势差来进行检测和读取，其中存储单元包括存储材料的全局层，并且其中读/写单元包括以图案的几何布置提供的一组接触装置，使得在对未用过的存储层进行初始写操作中将读/写单元施加到存储单元时，以准确相应于读/写单元中的接触装置的几何布置或图案在其中产生形成位点的存储单元。

2.根据权利要求1的数据存储装置，其特征在于存储单元包括界面连接和接触存储层的公共底部电极。

3.根据权利要求1的数据存储装置，其特征在于存储单元包括界面连接和接触存储层的公共顶部电极，该顶部电极由各向异性导电材料制成，从而在对存储单元中的未使用过的存储层的初始写操作中在其间建立的静止接触和读/写单元的该组接触装置在接触装置接触存储层的点位置处在后者中产生存储单元，使得存储单元变得以与读/写单元中的接触装置的几何布置或图案相同的几何布置或图案设置在其中。

4.根据权利要求3的数据存储装置，其特征在于顶部电极为各向异性导电，使得通过施加存储层的电势差，在初始写操作中以这种方式限定的存储单元的几何范围将受到各个接触装置的范围的限制。

5.根据权利要求1的数据存储装置，其特征在于读/写单元为适合于存储单元插入的静止单元，并且包括与该组接触装置相对提供的电极，从而该组接触装置和电极分别在其每一端处接触存储单元，所述电极用作用于存储单元的公共电极。

6.根据权利要求1的数据存储装置，其特征在于读/写单元的接触装置被提供为一个或多个线性阵列或者为正方形或矩形矩阵，其中各行和各列由所述线性阵列形成。

7.根据权利要求6的数据存储装置，其特征在于在存储单元中产生的存储单元以一个或多个线性阵列提供或提供为正方形或矩形矩阵，所述线性阵列形成其行或列。

8.根据权利要求1的数据存储装置，其特征在于读/写单元的接触装置能够与设置在读/写单元中或设置在与后者连接的外围单元中的驱动、感测、和控制装置连接。

9.根据权利要求12的数据存储装置，其特征在于读/写单元为静止单元，例如终端设备中的卡片读取器。

10.根据权利要求1的数据存储装置，其特征在于读/写单元为可移动单元，例如手持设备。

11.根据权利要求1的数据存储装置，其特征在于存储材料为铁电体材料或驻极体材料，其能够沿两个相反方向中的任何一个被极化且展示出磁滞现象，并且通过将逻辑值分配给其剩余极化状态中的任何一个在限定在铁电体或驻极体存储材料中的存储单元中存储数据。

12.根据权利要求11的数据存储装置，其特征在于铁电体或驻极体存储材料为钙钛矿类的无机陶瓷材料、低聚物、聚合物或者共聚物，如聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)[P(VDF-TrFE)]。

13.根据权利要求1的数据存储装置，其特征在于存储材料为具有线性或非线性电阻性阻抗特性的介电材料，并且其在跨越其施加合适的电势差或电场时能够被设置为特定电阻值，在存储单元中数据被存储为特定电阻值，逻辑值被分配给所述特定电阻值，并且逻辑值通过跨越存储材料施加合适的感测电势差而被读取和检测，所述感测电势差具有不改变存储单元的该组电阻值的值。

14.根据权利要求13的数据存储装置，其特征在于电阻性存储材料为酞菁化合物、有机小分子化合物、如M(TCNQ)的金属有机盐、低聚物、聚合物或者共聚物。

15.根据权利要求13的数据存储装置，其特征在于无机或有机半导体材料层已经被提供成邻近包括电阻性存储材料的存储层，使得在接触具有电极材料的所述半导体材料层时形成二极管结。