[发明专利]中间掩模对准技术

权利要求书

1.一种方法，包括：

形成带有第一对准网格的第一图案化层；

在所述第一图案化层上形成侧壁层，以执行第一收缩；

将收缩后的所述第一对准网格蚀刻入蚀刻层，以形成蚀刻的第一对准网格；

去除所述图案化层；

测量在所述蚀刻的第一对准网格上对准的第二对准网格的光学图案；以及

使用所述光学图案，以确定所述第二对准网格是否在所述蚀刻的第一对准网格上被对准。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括修正所述对准，直到所述第二对准网格的所述光学图案在所述蚀刻的第一对准网格上被对准。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，进一步包括：

在所述第一收缩后，建立用于所述第一图案化层中所述蚀刻的第一对准网格的光学图案的理论模型；

测量来自所述蚀刻的第一对准网格的光学图案；

将所述测量的来自所述蚀刻的第一对准网格的光学图案与用于所述蚀刻的第一对准网格的光学图案的理论模型进行对比；

确认由于临界尺寸偏离目标而产生的任何差异的来源；以及

使用所述被确认的任何差异的来源，建立在所述蚀刻的第一对准网格上对准的所述第二对准网格的光学图案的理论模型。

4.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中，所述使用所述光学图案以确定所述第二对准网格是否在所述蚀刻的第一对准网格上被对准，包括确定所测量的在所述蚀刻的第一对准网格上对准的所述第二对准网格的光学图案是否与在所述蚀刻的第一对准网格上对准的所述第二对准网格的所述光学图案的理论模型匹配。

5.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中，所述蚀刻的第一对准网格包括：

具有长度和宽度的第一线，其中，所述长度是所述宽度的至少四倍；

第二线，与所述第一线平行且与所述第一线分离，以形成在所述第一线和所述第二线之间的第一间距；

具有长度和宽度的第三线，其中，所述长度是所述宽度的至少四倍，并且其中，所述第二线垂直于所述第一线；以及

与所述第三线平行且与所述第三线分离的第四线。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一线和所述第二线之间的第一间距小于用于形成所述第一对准网格的光刻设备的CD。

7.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，进一步包括：

在去除所述图案化层后，增加光刻胶层；

在所述第二对准网格在所述蚀刻的第一对准网格上对准后，曝光所述光刻胶层；

将所述曝光的光刻胶层形成图案化光刻胶层；以及

穿过所述图案化光刻胶层将特征蚀刻入所述蚀刻层。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括在穿过所述图案化光刻胶层将特征蚀刻入所述蚀刻层之前，在所述图案化光刻胶层上形成侧壁层。

9.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中，所述光学过程使用整个对准网格，而不是所述对准网格的边缘。

10.一种使用多个掩模在晶片上形成器件的方法，包括：

a)在晶片上形成用于多个模片的第一图案化层，其中，所述多个模片中的每个模片具有第一对准网格；

b)在所述第一图案化层上形成侧壁层，以执行第一收缩；

c)将由收缩后的所述第一图案化层和所述第一对准网格形成的特征蚀刻入蚀刻层，以形成用于所述多个模片中的每个模片的蚀刻的第一对准网格；

d)从所述图案化层去除所述掩模；

e)在所述晶片上形成光刻胶层；

f)将所述晶片置于光刻工具中；

g)将中间掩模步进到所述多个模片中的一个模片；

h)测量在步进到的模片的蚀刻的第一对准网格上对准的所述中间掩模的第二对准网格的光学图案；

i)使用所述光学图案，以确定所述第二对准网格是否在所述步进到的模片的所述蚀刻的第一对准网格上被对准；

j)调整所述光刻工具，直到所述第二对准网格的光学图案在所述步进到的模片的所述蚀刻的第一对准网格上被对准；

k)曝光在所述步进到的模片上的光刻胶；

j)步进到另一个模片并回到步骤h，直到所述多个模片的所有模片被步进到。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，与额定对准的偏离被反馈至所述光刻工具，以修正任何未对准。