[发明专利]制造电容式加速度传感器的方法和电容式加速度传感器无效

专利信息
申请号: 200680021814.7 申请日: 2006-06-13
公开(公告)号: CN101198874A 公开(公告)日: 2008-06-11
发明(设计)人: H·凯斯马 申请(专利权)人: VTI技术有限公司
主分类号: G01P15/125 分类号: G01P15/125;G01P15/18
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 曾祥夌;刘华联
地址: 芬兰*** 国省代码: 芬兰;FI
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摘要:
搜索关键词: 制造 电容 加速度 传感器 方法
【权利要求书】:

1.一种用于由晶片元件制造出电容式加速度传感器的方法,在该方法中,在中心晶片上制造出形成了移动电极的惯性质量块(19),(27),(34),扭簧(22),(30),(39)在所述质量块的纵向方向上对称地、并且在所述质量块的厚度方向上非对称地支撑着所述质量块;并且在第二晶片上制造测量电极(20),(21),(28),(29),(37),(38),所述电极相对于所述扭簧(22),(30),(39)和所述质量块(19),(27),(34)对称地定位成面向所述质量块(19),(27),(34)的第一侧,其特征在于,在所述加速度传感器的质量块(19),(27),(34)中,在第二侧,即与所述第一侧相反的一侧,制造有非对称定位的减轻特征(23),(24),(31),(32),(40),(41)。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述减轻特征(23),(24),(31),(32),(40),(41)处,通过机械加工方法除去了一些质量块(19),(27),(34)。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述减轻特征(23),(24),(31),(32),(40),(41)处,通过蚀刻方法除去了一些质量块(19),(27),(34)。

4.根据任何前面权利要求1-3中任一项所述的方法,其特征在于,所述移动电极利用SOI晶片(33)成。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述SOI晶片(33)通过两个密封晶片(35),(36)进行密封。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述测量电极(37),(38)相对于所述扭簧(39)和所述质量块(34)对称地定位在所述第一密封晶片(36)上,面向所述质量块(34)的第一侧。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,携带所述测量电极(37),(38)的密封晶片(36)通过硅-玻璃隔离技术制造而成。

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在连接之后,将所述第一密封晶片(36)研磨得极薄。

9.根据权利要求6,7或8所述的方法,其特征在于,所述第二密封晶片(35)由玻璃制成。

10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,将所述第二密封晶片(35)研磨得极薄。

11.一种电容式加速度传感器,包括形成了移动电极的惯性质量块(19),(27),(34),以及测量电极(20),(21),(28),(29),(37),(38),所述质量块由扭簧(22),(30),(39)在所述质量块的纵向方向上对称地、并且在所述质量块的厚度方向上非对称地支撑着,所述测量电极(20),(21),(28),(29),(37),(38)相对于所述扭簧(22),(30),(39)和所述质量块(19),(27),(34)对称地定位成面向所述质量块(19),(27),(34)的第一侧,其特征在于,所述加速度传感器还包括在所述质量块(19),(27),(34)中,在其第二侧,即与所述第一侧相反的一侧制造出的非对称定位的减轻特征(23),(24),(31),(3 2),(40),(41)。

12.根据权利要求11所述的加速度传感器,其特征在于,具有一个减轻特征(23),(24),(31),(32),(40),(41)。

13.根据权利要求11所述的加速度传感器,其特征在于,具有若干个减轻特征(23),(24),(31),(32),(40),(41)。

14.根据权利要求11或13所述的加速度传感器,其特征在于,所述减轻特征(23),(24),(31),(32),(40),(41)的形状是可变的。

15.根据前面权利要求11-13中任一项所述的加速度传感器,其特征在于,所述加速度传感器包括三个加速度传感器元件,使得质量块(45),(46),(48),(49)的其中两个并列定位,相对于弹簧轴线彼此成镜像,并且第三质量决(47),(50)相对于所述的前面两个质量块旋转了90°。

16.根据权利要求15所述的加速度传感器,其特征在于,其中一个质量块不具备减轻特征。

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