[发明专利]制造电容式加速度传感器的方法和电容式加速度传感器

权利要求书

1.一种用于由晶片元件制造出电容式加速度传感器的方法，在该方法中，在中心晶片上制造出形成了移动电极的惯性质量块(19)，(27)，(34)，扭簧(22)，(30)，(39)在所述质量块的纵向方向上对称地、并且在所述质量块的厚度方向上非对称地支撑着所述质量块；并且在第二晶片上制造测量电极(20)，(21)，(28)，(29)，(37)，(38)，所述电极相对于所述扭簧(22)，(30)，(39)和所述质量块(19)，(27)，(34)对称地定位成面向所述质量块(19)，(27)，(34)的第一侧，其特征在于，在所述加速度传感器的质量块(19)，(27)，(34)中，在第二侧，即与所述第一侧相反的一侧，制造有非对称定位的减轻特征(23)，(24)，(31)，(32)，(40)，(41)。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述减轻特征(23)，(24)，(31)，(32)，(40)，(41)处，通过机械加工方法除去了一些质量块(19)，(27)，(34)。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述减轻特征(23)，(24)，(31)，(32)，(40)，(41)处，通过蚀刻方法除去了一些质量块(19)，(27)，(34)。

4.根据任何前面权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，所述移动电极利用SOI晶片(33)成。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述SOI晶片(33)通过两个密封晶片(35)，(36)进行密封。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述测量电极(37)，(38)相对于所述扭簧(39)和所述质量块(34)对称地定位在所述第一密封晶片(36)上，面向所述质量块(34)的第一侧。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，携带所述测量电极(37)，(38)的密封晶片(36)通过硅-玻璃隔离技术制造而成。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在连接之后，将所述第一密封晶片(36)研磨得极薄。

9.根据权利要求6，7或8所述的方法，其特征在于，所述第二密封晶片(35)由玻璃制成。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，将所述第二密封晶片(35)研磨得极薄。

11.一种电容式加速度传感器，包括形成了移动电极的惯性质量块(19)，(27)，(34)，以及测量电极(20)，(21)，(28)，(29)，(37)，(38)，所述质量块由扭簧(22)，(30)，(39)在所述质量块的纵向方向上对称地、并且在所述质量块的厚度方向上非对称地支撑着，所述测量电极(20)，(21)，(28)，(29)，(37)，(38)相对于所述扭簧(22)，(30)，(39)和所述质量块(19)，(27)，(34)对称地定位成面向所述质量块(19)，(27)，(34)的第一侧，其特征在于，所述加速度传感器还包括在所述质量块(19)，(27)，(34)中，在其第二侧，即与所述第一侧相反的一侧制造出的非对称定位的减轻特征(23)，(24)，(31)，(3 2)，(40)，(41)。

12.根据权利要求11所述的加速度传感器，其特征在于，具有一个减轻特征(23)，(24)，(31)，(32)，(40)，(41)。

13.根据权利要求11所述的加速度传感器，其特征在于，具有若干个减轻特征(23)，(24)，(31)，(32)，(40)，(41)。

14.根据权利要求11或13所述的加速度传感器，其特征在于，所述减轻特征(23)，(24)，(31)，(32)，(40)，(41)的形状是可变的。

15.根据前面权利要求11-13中任一项所述的加速度传感器，其特征在于，所述加速度传感器包括三个加速度传感器元件，使得质量块(45)，(46)，(48)，(49)的其中两个并列定位，相对于弹簧轴线彼此成镜像，并且第三质量决(47)，(50)相对于所述的前面两个质量块旋转了90°。

16.根据权利要求15所述的加速度传感器，其特征在于，其中一个质量块不具备减轻特征。