[发明专利]太阳电池元件和太阳电池元件的制造方法

权利要求书

1.一种太阳电池元件的制造方法，包括：

a)第一工序，在太阳电池元件的形成用半导体基板的非受光面上形成以铝为主成分的集电电极，其包括a-1)形成包含铝的集电电极材料层的工序、和a-2)通过煅烧所述集电电极材料层从而在所述半导体基板的内部形成BSF层同时得到集电电极的工序；以及

b)第二工序，按照覆盖所述集电电极的至少一部分的方式形成钝化膜。

2.根据权利要求1所述的太阳电池元件的制造方法，其特征在于：所述第一工序还包括：a-3)通过对所述集电电极进行蚀刻，将所述集电电极变薄使其具有获得集电效果的最小限度的厚度的工序。

3.一种太阳电池元件的制造方法，包括：

第一工序，在太阳电池元件的形成用半导体基板的非受光面上形成包含铝的集电电极材料层；

第二工序，按照覆盖所述集电电极材料层的至少一部分的方式形成钝化膜；以及

第三工序，通过煅烧所述集电电极材料层，取得以铝为主成分的集电电极。

4.根据权利要求3所述的太阳电池元件的制造方法，其特征在于：

在所述第一工序中，按照在所述的第三工序中形成具有获得集电效果的最小限度的厚度的所述集电电极的方式，形成所述集电电极材料层。

5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的太阳电池元件的制造方法，其特征在于：

使用等离子CVD法，用氮化硅形成所述钝化膜。

6.一种太阳电池元件，包括：

太阳电池元件形成用的半导体基板；

在所述半导体基板的非受光面上形成，以铝为主成分，具有获得集电效果的最小限度的厚度的集电电极；以及

覆盖所述集电电极的钝化膜。

7.根据权利要求6所述的太阳电池元件，其特征在于：

所述集电电极是形成包含铝的集电电极材料层之后，进行所述集电电极材料层的煅烧，通过这样，伴随着所述半导体基板的内部的BSF层的形成而形成的。

8.根据权利要求7所述的太阳电池元件，其特征在于：

所述集电电极，通过在所述煅烧后进行蚀刻，形成为具有产生所述集电效果的最小限度的厚度。

9.根据权利要求6～8中的任意一项所述的太阳电池元件，其特征在于：

所述集电电极在所述半导体基板的非受光面上局部形成；

按照与所述集电电极的至少一部分导通连接的方式，形成以比铝导电率更高的金属材料为主成分的输出取出电极。

10.根据权利要求6～9中的任意一项所述的太阳电池元件，其特征在于：

所述钝化膜由氮化硅构成。

11.一种太阳电池元件，由权利要求1～5中的任意一项所述的太阳电池元件的制造方法制造。