[发明专利]硅搁架塔有效
申请号: | 200680022039.7 | 申请日: | 2006-04-14 |
公开(公告)号: | CN101542014A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
发明(设计)人: | 拉南·泽哈维;里斯·雷诺斯 | 申请(专利权)人: | 统合材料股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;陈 红 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅搁架塔 | ||
1.一种可拆卸地支撑在支撑塔中的搁架,所述支撑塔能支撑多个该类搁 架,并且所述支撑塔能支撑热处理的衬底,所述搁架包括:
外圆周;
所述圆周上的平行的两个切平横向侧,所述平行的两个切平横向侧的每个 切平横向侧平行于所述搁架的中位线延伸;以及
所述圆周上的切平后侧,所述切平后侧横向于所述平行的两个切平横向侧 并且横向于所述搁架的所述中位线,所述切平后侧具有通孔并且所述切平后侧 在所述通孔和所述切平后侧之间形成搭板以可拆卸地啮合凹槽,所述凹槽形成 在多个直立的支撑塔脚中的一个支撑塔脚内的槽中,其中所述搁架是用选自由 多晶硅、半一单切克劳斯基硅、铸硅、石英、碳化硅和浸硅的碳化硅所构成的 群组中的材料形成。
2.根据权利要求1所述的搁架,其特征在于,所述搁架基本为平面。
3.根据权利要求1所述的搁架,其特征在于,所述搁架支撑圆形衬底的 部分内部区域,且所述部分内部区域设置在衬底半径的内部50%内。
4.根据权利要求1所述的搁架,其特征在于,所述搁架仅支撑圆形衬底 的部分外部区域,且所述部分外部区域设置在衬底半径的外部50%内。
5.根据权利要求1所述的搁架,其特征在于,所述搁架由随机取向的多 晶硅组成。
6.根据权利要求1所述的搁架,其特征在于,每个平行的切平横向侧具 有向外突出的台阶。
7.根据权利要求1所述的搁架,其特征在于,所述搁架具有平坦表面区 域,其中所述平坦表面区域具有选自由多个沟槽和高度小于0.5mm的浅条纹 组成的群组中的至少一个特征。
8.根据权利要求6所述的搁架,其中所述向外突出的台阶横向于所述平 行的切平横向侧延伸。
9.根据权利要求1所述的搁架,还包括选自由多个通孔和从所述搁架的 前方延伸至所述搁架的中心后面的点的切口组成的群组中的一个或多个结构。
10.支撑塔和搁架的组合,所述支撑塔和搁架包括:
支撑塔,具有在二个基部之间延伸的多个脚,其中每个所述脚具有多个槽 以及所述多个槽中的每个槽具有凹槽;以及
由所述多个脚支撑的多个搁架,其中所述多个搁架中的每个搁架具有外圆 周,所述外圆周具有平行的两个切平横向侧以及横向于所述平行的两个切平横 向侧的切平后侧,且其中所述切平后侧具有通孔,所述通孔在所述通孔和所述 切平后侧之间形成搭板以可拆卸地啮合所述凹槽,所述凹槽形成在所述多个脚 中的一个脚内的所述多个槽中的一个槽内;
其中所述多个搁架和所述塔每个用选自由多晶硅、半一单切克劳斯基硅、 铸硅、石英、碳化硅和浸硅的碳化硅所构成的群组中的材料形成。
11.根据权利要求10所述的组合,其特征在于,所述支撑塔由随机取向 多晶硅制成。
12.根据权利要求10所述的组合,其特征在于,所述多个搁架每个由随 机取向多晶硅制成。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的