[发明专利]包括用于减少聚合物沉积的RF吸收材料的等离子体限制环

权利要求书

1.一种用于等离子体处理室的等离子体限制环组件的等离子体限制环，所述等离子体限制环组件包括之间有间隙的等离子体限制环堆，所述等离子体限制环包括：

至少一个里面有插入件的孔，所述孔与支撑所述等离子体限制环堆中的所述等离子体限制环的挂钩协作；

表面；

RF透明材料；

RF损耗材料；

其中，当所述表面暴露于所述等离子体处理室内的等离子体时，所述RF损耗材料适于耦合RF能量，使得所述表面达到足够高的温度以大大地降低在所述表面上的聚合物沉积；以及

其中所述RF损耗材料是掺杂硅。

2.根据权利要求1所述的等离子体限制环，其中，所述RF损耗材料是在所述等离子体限制环的内径表面上的涂层。

3.一种用于等离子体处理室的等离子体限制环组件，包括：

至少两个以堆的形式设置的等离子体限制环，每个所述等离子体限制环包括等离子体暴露表面、RF透明材料和用于耦合RF能量的工具；

其中，所述用于耦合RF能量的工具是RF损耗材料，所述RF损耗材料适于当所述等离子体限制环暴露于所述等离子体处理室内的等离子体时，使得所述每个等离子体限制环的等 离子体暴露表面达到足够高的温度以大大地降低在所述等离子体暴露表面上的聚合物沉积；

其中所述RF损耗材料是掺杂硅。

4.根据权利要求3所述的等离子体限制环组件，包括：

安装环；以及

安装元件，其将所述等离子体限制环悬挂在所述安装环上。

5.根据权利要求3所述的等离子体限制环组件，其中，所述RF损耗材料是在所述等离子体限制环的每一个的内径表面上的涂层。

6.一种等离子体处理室，包括：

上部喷头电极；

基片支撑件，其包括下部电极；以及

根据权利要求3所述的等离子体限制环组件，其设置为将等离子体限制在所述喷头电极和所述基片支撑件之间的空间内。

7.一种用于等离子体处理室的等离子体限制环组件，包括：

至少两个以堆的形式设置的等离子体限制环，每个所述等离子体限制环包括RF透明材料和RF损耗材料的等离子体暴露表面；

其中，当所述等离子体限制环暴露于所述等离子体处理室内的等离子体时，所述RF损耗材料适于耦合RF能量，使得所述每个等离子体限制环的等离子体暴露表面达到足够高 的温度以大大地降低在所述等离子体暴露表面上的聚合物沉积；

其中所述RF损耗材料是掺杂硅。

8.根据权利要求7所述的等离子体限制环组件，其中，所述RF损耗材料是在所述等离子体限制环的内径表面上的涂层。

9.根据权利要求7所述的等离子体限制环组件，包括：

安装环；以及

安装元件，其将所述等离子体限制环悬挂在所述安装环上。

10.一种等离子体处理室，其包括：

上部喷头电极；

基片支撑件，其包括下部电极；以及

根据权利要求7所述的等离子体限制环组件，其设置为将等离子体限制在所述喷头电极和所述基片支撑件之间的空间内。