[发明专利]非易失性存储器读取操作中的补偿电流

权利要求书

1.一种从非易失性存储装置读取数据的方法，其包括：

读取第一群组非易失性存储元件中的第一非易失性存储元件以确定所述第一非易失性存储元件是否被编程到第一编程状态；

如果确定所述第一非易失性存储元件处于所述第一编程状态，那么将初始化电压提供到所述第一群组的位线，所述提供在第二群组非易失性存储元件的位线中产生第一电流；以及

如果所述第一非易失性存储元件被编程到所述第一编程状态，那么当所述第一电流处于所述第二群组非易失性存储元件的所述位线中时读取所述第二群组中的第二非易失性存储元件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述读取所述第一非易失性存储元件的步骤包括：

确定所述第一非易失性存储元件的阈值电压是否处于或高于对应于所述第一编程状态的第一参考读取电平。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述读取所述第一非易失性存储元件的步骤包括：

确定所述第一非易失性存储元件的传导电流是否处于或高于对应于所述第一编程状态的第一断点电平。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述提供所述初始化电压的步骤通过在所述第一群组的所述位线与所述第二群组的所述位线之间产生电压差而在所述第二群组的所述位线中诱发所述第一电流，所述第一电流由于电容性耦合的缘故而从所述第二群组的所述位线流动到所述第一群组的所述位线。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述提供步骤包含：

将所述第一群组非易失性存储元件的所述第一位线接地。

6.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第二位线中的所述第一电流增加所述第二非易失性存储元件的表观传导电流。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述读取所述第二非易失性存储元件的步骤包含：

在第一取样周期期间感测所述第二非易失性存储元件的传导电流，所述第一电流增加所述传导电流的表观值。

8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括：

如果所述第一非易失性存储元件未被编程到所述第一编程状态，那么在所述第二群组非易失性存储元件的所述位线中没有所述第一电流的情况下读取所述第二非易失性存储元件。

9.根据权利要求8所述的方法，其中：

在第二取样周期期间执行在所述第二群组的所述位线中没有所述第二电流的情况下的所述读取，所述第一取样周期在所述第二取样周期之前。

10.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述读取所述第二非易失性存储元件的步骤包含感测用于所述第二群组非易失性存储元件的感测电路处的电压电平是否在第一时间周期内下降到对应于第二编程状态的预定电平以下；且

所述第二群组的所述位线中的所述第一电流增加所述感测电路处的所述电压电平在所述第一时间周期期间下降的速率。

11.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一群组非易失性存储元件是第一NAND串；且

所述第二群组非易失性存储元件是邻近于所述第一NAND串的第二NAND串。

12.根据权利要求11所述的方法，其中：

所述第一非易失性存储元件耦合到第一字线；且

所述第二非易失性存储元件耦合到所述第一字线。

13.根据权利要求11所述的方法，其中：

所述第一非易失性存储元件耦合到第一字线；且

所述第二非易失性存储元件耦合到邻近于所述第一字线的第二字线。

14.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一编程状态是所述第一群组非易失性存储元件可被编程到的多个状态中的一者；且

所述第一编程状态包含所述多个状态的最高阈值电压范围。

15.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述读取步骤包含确定所述第一非易失性存储元件是否被编程到所述第一编程状态或至少一个其它编程状态；且

所述提供步骤包含如果所述第一非易失性存储元件被编程到所述第一编程状态或所述至少一个其它编程状态，那么将所述初始化电压提供到所述第一群组的所述位线。