[发明专利]图像传感器像素及其方法

权利要求书

1.一种半导体图像传感器的像素，包括在半导体衬底的表面上具有突出形状的光电二极管。

2.一种半导体图像传感器的像素，包括：

光电二极管，形成在半导体衬底的表面下；以及

光电二极管，在所述半导体衬底的所述表面上具有突出的形状。

3.如权利要求1或2所述的像素，其中所述具有突出形状的光电二极管由外延生长形成。

4.如权利要求1所述的像素，其中在所述半导体衬底的所述表面下形成的所述光电二极管、以及在所述半导体衬底的所述表面上具有突出形状的所述光电二极管，经历了离子注入工艺。

5.如权利要求3所述的像素，其中所述像素由所述外延生长形成并且经历了所述离子注入工艺。

6.如权利要求3所述的像素，其中所述外延生长由在所述半导体衬底的所述表面下形成的所述光电二极管开始。

7.一种半导体图像传感器的像素，包括：

第一光电二极管，形成在半导体衬底的表面下；以及

第二光电二极管，在所述半导体衬底的所述表面上具有突出的形状，所述第二光电二极管位于所述第一光电二极管之上。

8.如权利要求1、2或7所述的像素，其中所述半导体衬底包括：阱；以及

沟槽分隔区域，其厚度比所述阱的厚度薄。

9.一种制造图像传感器的像素的方法，所述方法包括：

(a)通过对半导体衬底进行离子注入，形成类型相对于所述衬底相反的第一区域；以及

(b)在所述衬底上形成具有预定厚度的外延层。

10.一种制造图像传感器的像素的方法，所述方法包括：

通过对半导体衬底进行离子注入，形成类型相对于所述衬底相反的第一区域；

在所述衬底上形成具有预定厚度的外延层；以及

将离子注入所述外延层。

11.如权利要求9或10所述的方法，其中步骤(b)从所述第一区域开始。

12.如权利要求9或10所述的方法，还包括：

(a)在所述衬底上，形成类型相对于半导体衬底相反的阱；以及

(b)形成比所述阱浅的沟槽区。