[发明专利]制备碳化硅单晶的方法

权利要求书

1.一种制备碳化硅单晶的方法，其包括使碳化硅单晶基板与通过熔融包含Si和C的原料制备的熔体接触，并使碳化硅单晶在所述基板上生长，所述方法包括进行包含如下步骤(a)和(b)的循环：

a)使所述籽晶基板与所述熔体的所述表面接触、生长单晶、以及从所述熔体的所述表面分离所述籽晶基板从而打断所述单晶生长的步骤，和

b)使所述籽晶基板与所述熔体的所述表面接触并生长单晶的步骤，至少进行一次，其中所述籽晶是6H-碳化硅单晶或15R-碳化硅单晶，得到的单晶是4H-碳化硅单晶。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述原料包含3～45原子％的Al。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述原料包含1～20原子％的Sn。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述原料包含1～30原子％的Ge。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的方法，其中所述熔体的温度是所述原料的熔点或更高和2,300℃或更低。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的方法，其中所述熔体从内部向着要接触籽晶的所述表面形成10～45℃/cm的温度梯度。