[发明专利]层结构中具有反向几何结构的异质接触太阳电池

权利要求书

1.一种层结构的异质接触太阳电池，包括由p型掺杂或者n型掺杂的晶体半导体材料制成的吸收体、由相对于所述吸收体反向掺杂的非晶半导体材料制成的发射极、由非晶半导体材料制成的介于所述吸收体和所述发射极之间的本征间层、所述吸收体面向光的一侧上的覆盖层、形成反射少数电荷载流子的表面场的层，以及所述吸收体面向光的一侧上的具有最小化的遮蔽表面的欧姆接触结构和所述吸收体背对光的一侧上的欧姆接触结构，其特征在于：在所述层结构的反向几何结构中，所述发射极(EM)设置在所述吸收体(AB)背对光的底部(LU)上；由于选择起所述吸收体材料的作用的材料，所述吸收体(AB)面向光的一侧上的所述覆盖层(DS)配置为透明减反射层(ARS)，同时也配置为所述吸收体(AB)的钝化层(PS)，所述钝化层(PS)形成反射少数电荷载流子的表面场(FSF)；以及所述吸收体(AB)面向光的顶部(LO)上的所述欧姆接触结构(OKS)穿透所述透明减反射层(ARS)，而其他所述欧姆接触结构(UKS)配置在所述吸收体(AB)背对光的底部(LU)上的所述发射极(EM)的很大的表面区域上。

2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于反射电荷载流子的区域(n⁺)形成在穿透所述透明减反射层(ARS)的所述接触结构(OKS)下面的所述吸收体(AB)中。

3.根据权利要求1或2所述的太阳电池，其特征在于所述吸收体(AB)由n型掺杂的晶体硅(n c-Si)制成，所述发射极由p型掺杂的非晶硅(p a-Si:H)制成，而所述本征间层(IZS)由未掺杂的非晶硅(i a-Si:H)制成。

4.根据权利要求1到3中任一项所述的太阳电池，其特征在于所述透明减反射层(ARS)由氮化硅Si₃N₄制成。

5.根据权利要求1到4中任一项所述的太阳电池，其特征在于一个欧姆接触结构(OKS)配置在所述吸收体(AB)面向光的顶部(LO)上，作为由银(Ag)制成的接触指或接触栅极(KG)，而另一所述欧姆接触结构(UKS)配置为薄的、平坦的由金(Au)制成的金属层(MS)。

6.根据权利要求1到5中任一项所述的太阳电池，其特征在于所述吸收体(AB)包括自支撑晶片。

7.根据权利要求1到6中任一项所述的太阳电池，其特征在于所述太阳电池(SZ)的多个层设为薄层结构，并且在所述吸收体(AB)背对光的底部(LU)上设有承载玻璃衬底。