[发明专利]衬底处理方法和衬底处理设备

权利要求书

1. 一种衬底处理方法，它包括以下步骤：

通过处理液处理衬底；

通过在其上供给与所述处理液相比具有更高挥发性的第一流体而在所述衬底的上表面上形成液体膜；和

当旋转所述衬底时，向所述衬底的所述上表面供给与所述处理液相比具有更高挥发性的第二流体；其中

在供给所述第二流体的步骤，向所述衬底供给所述第二流体的位置相对于所述衬底的旋转中心朝外径向移动。

2. 根据权利要求1的衬底处理方法，其特征在于，其还包括化学处理步骤，在由所述处理液处理所述衬底的步骤之前，所述化学处理步骤通过化学液处理所述衬底。

3. 根据权利要求2的衬底处理方法，其特征在于，

通过所述化学处理步骤增大所述衬底的所述上表面的疏水性。

4. 根据权利要求1的衬底处理方法，其特征在于，

在形成所述液体膜的步骤，当旋转所述衬底时，向所述衬底供给所述第一流体的位置相对于所述衬底的所述旋转中心朝外径向移动以形成所述液体膜。

5. 根据权利要求4的衬底处理方法，其特征在于，

在形成所述液体膜步骤的所述第一流体的所述供给位置的移动速度比在供给所述第二流体步骤的所述第二流体的所述供给位置的移动速度快。

6. 根据权利要求4的衬底处理方法，其特征在于，

在形成所述液体膜步骤的所述衬底的旋转速度比在供给所述第二流体步骤的所述衬底的旋转速度慢。

7. 根据权利要求1的衬底处理方法，其特征在于，

在供给所述第二流体的步骤，干燥气体还被供给到所述衬底的所述上表面，并且当保持向所述衬底供给所述干燥气体的位置与所述第二流体的所述供给位置相比更接近所述衬底的旋转中心时，向所述衬底供给所述干燥气体和所述第二流体的位置相对于晶片的旋转中心分别朝外径向移动。

8. 根据权利要求7的衬底处理方法，其特征在于，

向所述衬底供给所述干燥气体的所述位置位于所述衬底的所述旋转中心和所述第二流体的所述供给位置之间。

9. 根据权利要求8的衬底处理方法，其特征在于，

在所述衬底的旋转方向上，向所述衬底供给所述干燥气体的所述位置位于向所述衬底供给所述第二流体的所述位置之前。

10. 根据权利要求8的衬底处理方法，其特征在于，

在与所述供给位置的所述移动方向垂直的方向上，向所述衬底供给所述干燥气体的区域的尺寸比向所述衬底供给所述第二流体的区域的尺寸大。

11. 根据权利要求7的衬底处理方法，其特征在于，

所述干燥气体是惰性气体。

12. 根据权利要求7的衬底处理方法，其特征在于，

所述干燥气体是干燥空气。

13. 根据权利要求7的衬底处理方法，其特征在于，

供给经加热的干燥气体。

14. 根据权利要求1的衬底处理方法，其特征在于，

当吸取所述衬底的所述上表面附近的空气时，执行供给所述第二流体的步骤。

15. 根据权利要求14的衬底处理方法，其特征在于，

当保持空气的吸取位置与所述第二流体的所述供给位置相比离所述衬底的所述旋转中心更远时，空气的所述吸取位置和向所述衬底供给所述第二流体的所述位置相对于所述衬底的所述旋转中心朝外径向移动。

16. 根据权利要求14的衬底处理方法，其特征在于，

在所述衬底的旋转方向上，空气的所述吸取位置位于向所述衬底供给所述第二流体的位置之前。

17. 根据权利要求1的衬底处理方法，其特征在于，

执行形成所述液体膜的步骤和供给所述第二流体的步骤的至少一个，使所述衬底周围的湿度低于在由所述处理液处理所述衬底的步骤的湿度。

18. 根据权利要求1的衬底处理方法，其特征在于，

所述处理液是去离子水。