[发明专利]具有改进的浪涌能力的肖特基二极管

权利要求书

1.一种肖特基二极管，包括具有主体区域和在主体区域顶部上的外延形成区域的半导体晶圆；在所述外延形成区域顶部上的阳极触点和在所述主体区域的底部表面上的阴极电极；用于所述晶圆的外壳；所述外壳包括具有表面的主散热器；所述阳极触点被热连接并固定到所述主散热器表面，用于从所述晶圆的所述阳极侧的最大散热，从而显著地改进所述二极管的浪涌能力。

2.如权利要求1所述的肖特基二极管，其中至少所述主体区域由硅或碳化硅中之一构成。

3.如权利要求2所述的二极管，其中所述阳极触点为可焊接材料。

4.如权利要求2所述的二极管，其还包括在所述外延形成区域的所述顶部中以及围绕所述阳极触点的扩散护圈；以及设置在所述护圈和所述主散热器表面之间的绝缘圈。

5.如权利要求3所述的二极管，其还包括在所述外延形成区域的所述顶部中以及围绕所述阳极触点的扩散护圈；以及设置在所述护圈和所述主散热器表面之间的绝缘圈。

6.如权利要求2所述的二极管，其中所述主散热器为引线框。

7.如权利要求3所述的二极管，其中所述主散热器为引线框。

8.如权利要求5所述的二极管，其中所述主散热器为引线框。

9.如权利要求2所述的二极管，其中所述封装为具有用于接纳所述晶片的浅杯状物的DirectFET型封装；所述阳极电极连接到所述杯状物的顶部的内部。

10.如权利要求3所述的二极管，其中所述封装为具有用于接纳所述晶片的浅杯状物的DirectFET型封装；所述阳极电极连接到所述杯状物的顶部的内部。

11.如权利要求5所述的二极管，其中所述封装为具有用于接纳所述晶片的浅杯状物的DirectFET型封装；所述阳极电极连接到所述杯状物的顶部的内部。