[发明专利]多层片状电容器及其制造方法和制造设备

权利要求书

1.一种通过以多层片状形式沉积介电层和导电层来制造多层片状电容器的方法，其中所述导电层的宽度比介电层的宽度窄，所述方法包括：

定位介电层沉积源垂直于具有多个缝隙的单阴罩，并定位导电层沉积源倾斜于所述单阴罩；以及

通过蒸发来自各个沉积源的蒸发粒子，使该蒸发粒子穿过缝隙并沉积在衬底上，从而形成介电层和导电层。

2.根据权利要求1所述的制造多层片状电容器的方法，其中用于倾斜地定位导电层沉积源的沉积角的范围是沿垂直于阴罩的方向从5度到45度。

3.根据权利要求1所述的制造多层片状电容器的方法，还包括移动掩模组，其中根据在沉积导电层和介电层的过程中导电层和介电层的层增高速率，沿高度方向安装阴罩。

4.根据权利要求1所述的制造多层片状电容器的方法，还包括每隔预定的时间周期，反复控制在导电层和介电层的沉积过程中阴罩与衬底分离，以及根据沉积层的增高速率精确调节向上分离的阴罩的位置。

5.根据权利要求1所述的制造多层片状电容器的方法，还包括控制掩模组沿高度方向移动以便在形成沉积层之后防止形成在衬底上的沉积层被阴罩损坏，以及控制掩模组与衬底分离，并沿定义为宽度方向和纵向的水平方向定位。

6.根据权利要求1所述的制造多层片状电容器的方法，其中阴罩的缝隙的宽度方向截面是平行四边形，而阴罩的缝隙的纵向截面是梯形。

7.根据权利要求1所述的制造多层片状电容器的方法，其中阴罩的缝隙的截面是平行四边形、带台阶的平行四边形、梯形和带台阶的梯形之一。

8.一种通过根据权利要求1所述的制造多层片状电容器的方法制造的多层片状电容器。

9.一种通过以多层片状形式沉积介电层和导电层来制造多层片状电容器的方法，其中所述导电层的宽度比介电层的宽度窄，所述方法包括：

调节和设置装在掩模组上自转和公转并具有多个缝隙的单阴罩之间的距离；

定位介电层沉积源垂直于所述单阴罩，并定位导电层沉积源倾斜于所述单阴罩；以及

在控制掩模组沿X轴、Y轴和Z轴(X轴是宽度方向，Y轴是纵向，Z轴是高度方向)移动的同时，通过真空沉积形成介电层和导电层。

10.根据权利要求9所述的制造多层片状电容器的方法，还包括在进行所述设置之前在衬底上形成可热分解的释放层。

11.根据权利要求9所述的制造多层片状电容器的方法，还包括控制掩模组沿高度方向移动以便在形成沉积层之后防止形成在衬底上的沉积层被阴罩损坏，以及控制掩模组与衬底分离，并沿定义为宽度方向和纵向的水平方向定位。

12.一种通过以多层片状形式沉积介电层和导电层来制造多层片状电容器的方法，其中所述导电层的宽度比介电层的宽度窄，所述方法包括：

通过移动上掩模组和下掩模组形成用于形成所需沉积层的缝隙图案，其中所述上掩模组和下掩模组分别包括具有多个缝隙的阴罩且彼此面对；以及

通过蒸发来自各个沉积源的蒸发粒子，使该蒸发粒子穿过缝隙图案并沉积在衬底上，从而形成介电层和导电层。

13.根据权利要求12所述的制造多层片状电容器的方法，还包括移动掩模组，其中根据在沉积导电层和介电层的过程中导电层和介电层的层增高速率，沿高度方向安装阴罩。

14.根据权利要求12所述的制造多层片状电容器的方法，还包括每隔预定的时间周期，反复控制在导电层和介电层的沉积过程中阴罩与衬底分离，以及根据沉积层的增高速率精确调节向上分离的阴罩的位置。

15.根据权利要求12所述的制造多层片状电容器的方法，还包括控制掩模组沿高度方向移动以便在形成沉积层之后防止形成在衬底上的沉积层被阴罩损坏，以及控制掩模组与衬底分离，并沿定义为宽度方向和纵向的水平方向定位。

16.一种通过根据权利要求12所述的制造多层片状电容器的方法制造的多层片状电容器。