[发明专利]形成高介电常数薄膜的方法以及形成半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200680022580.8 | 申请日： | 2006-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN101203945A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | C·迪萨拉;柳田和孝;上山哲 | 申请（专利权）人： | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司;NEC电子公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/314;C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 林柏楠;刘金辉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 介电常数 薄膜 方法 以及 半导体器件 | ||
1.一种形成高介电常数薄膜的方法，其中包含金属硅酸盐的高介电常数薄膜使用含金属化合物的气体和由下面通式表示的含硅化合物的气体通过原子层沉积在基质上形成：
其中
在前述通式中的R1、R2和R3各自独立地选自氢原子、C1-3烷基和N(R6)2(其中多个R6基团中的每一个独立选自氢原子、C1-3烷基和Si(R7)3(其中多个R7基团中的每一个独立选自氢原子和C1-3烷基))；
R4和R5各自独立地选自氢原子、C1-3烷基和Si(R8)3(其中多个R8基团中的每一个独立选自氢原子、C1-3烷基和NHSi(R9)3(其中多个R9基团中的每一个独立选自氢原子和C1-3烷基))；和
(前述通式中的碳原子数)/(前述通式中的硅原子数)的值不大于7。
2.一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：
在硅基材上形成包含金属硅酸盐的高介电常数薄膜；
在前述的高介电常数薄膜上形成多晶硅薄膜；和
通过选择性除去高介电常数薄膜和多晶硅薄膜形成栅极电极，
其中前述形成高介电常数薄膜的步骤通过根据权利要求1的薄膜-形成方法进行。
3.根据权利要求2的制造半导体器件的方法，其中前述通式中的R1、R2和R3各自独立地选自氢原子、甲基、N(CH3)2和NHSi(CH3)3，R4和R5各自独立地选自氢原子、甲基、SiH3、Si(CH3)3和NHSi(CH3)3。
4.根据权利要求2或3的制造半导体器件的方法，其中具有前述通式的化合物是选自由(SiH3)3N、SiH2(N(CH3)2)2、SiH(N(CH3)2)3和SiH2(NHSi(CH3)3)2组成的组中的至少一种。
5.根据权利要求2或3的制造半导体器件的方法，其中具有前述通式的化合物是(SiH3)3N。
6.根据权利要求2或3的制造半导体器件的方法，其中具有前述通式的化合物是SiH2(N(CH3)2)2。
7.根据权利要求2或3的制造半导体器件的方法，其中具有前述通式的化合物是SiH(N(CH3)2)3。
8.根据权利要求2-7中任一项的制造半导体器件的方法，其中在高介电常数薄膜的至少上部区域中高介电常数薄膜的金属/(金属+Si)组成比率为不大于0.6。
9.根据权利要求2-8中任一项的制造半导体器件的方法，其中前述形成高介电常数薄膜的步骤包括
通过原子层沉积，在前述的硅基材上形成包含金属硅酸盐的第一高介电常数薄膜的步骤；和
在第一高介电常数薄膜的表面上，成层具有的金属/(金属+Si)组成比率不大于0.6的第二高介电常数薄膜的步骤。
10.根据权利要求2-9中任一项的制造半导体器件的方法，其中所述金属包含Hf或Zr。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司;NEC电子公司，未经乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司;NEC电子公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
