[发明专利]微机械加工的麦克风和多传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种用于从具有至少第一硅层的晶片生产微机械加工的麦克风的方法，该方法包括：

在所述第一硅层的正面上形成至少一个氧化物层；

在至少一个氧化物层上形成包括隔膜的多个多晶硅麦克风结构；以及

通过贯穿所述第一硅层形成的多个沟槽，从所述第一硅层的背面，去除在所述多个多晶硅麦克风结构下面的至少一个氧化物层的一部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一硅层的正面上形成至少一个氧化物层包括：

形成通过所述第一硅层的沟槽；

淀积覆盖所述第一硅层的所述正面并对所述沟槽加衬的至少一个氧化物层；

在所述第一氧化物层上形成多个牺牲多晶硅麦克风结构；

在所述第一氧化物层和所述牺牲多晶硅麦克风结构上淀积第二氧化物层；以及

去除所述牺牲多晶硅麦克风结构。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述第一氧化物层上形成多个牺牲多晶硅结构包括：

淀积覆盖所述第一氧化物层并填充被加衬的沟槽的多晶硅层；以及

对所述多晶硅层形成图案，以形成所述多个牺牲多晶硅麦克风结构。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，在去除在所述多个多晶硅结构下面的所述至少一个氧化物层的所述部分之前：

在所述至少一个氧化物层和所述多个多晶硅结构上，形成另外的氧化物层；

对所述另外的氧化物层形成图案，以暴露多晶硅结构的一部分和所述第一硅层的一部分；

形成到至少所述多晶硅结构的暴露部分和所述第一硅层的暴露部分的金属电极。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，在去除在所述多个多晶硅结构下面的所述至少一个氧化物层的所述部分之前：

对所述晶片形成图案，以暴露所述隔膜的至少一部分；

在所述隔膜中的至少一个孔上在所述隔膜的暴露部分上淀积第一光致抗蚀剂层；

对光致抗蚀剂材料形成图案，以再暴露所述隔膜的所述部分；

去除在所述隔膜中的所述至少一个孔下面的一部分氧化物；以及

淀积在所述隔膜中的所述至少一个孔下面形成支座的第二光致抗蚀剂层，其中，在去除所述多个多晶硅结构下面的所述至少一个氧化物层的所述部分期间，所述支座支持所述隔膜；

在去除了在所述多个多晶硅结构下面的所述至少一个氧化物层的所述部分之后，去除所述支座。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在形成所述多晶硅麦克风结构期间，形成多个惯性传感器结构。

7.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：

在形成所述多个牺牲多晶硅麦克风结构期间，在所述第一氧化物层上形成多个牺牲多晶硅惯性传感器结构；

在所述牺牲多晶硅惯性传感器结构上淀积所述第二氧化物层；以及

去除所述牺牲多晶硅惯性传感器结构。

8.根据权利要求3所述的方法，进一步包括：

在形成所述牺牲多晶硅麦克风结构期间，对所述多晶硅层形成图案，以形成多个牺牲多晶硅惯性传感器结构。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述晶片进一步包括第二硅层和在所述第一硅层和所述第二硅层之间的中间氧化物层，以及其中，从所述第一硅层的背面去除在所述多个多晶硅麦克风结构下面的所述至少一个氧化物层的所述部分包括：

去除所述第二硅层和所述中间氧化物层的下面部分，以形成背面空腔；以及

通过所述背面空腔去除在所述多个多晶硅麦克风结构下面的所述至少一个氧化物层的所述部分。

10.根据权利要求6所述的方法，其中，所述晶片进一步包括第二硅层以及在所述第一硅层和所述第二硅层之间的中间氧化物层，以及其中，从所述第一硅层的所述背面去除在所述多个多晶硅麦克风结构下面的所述至少一个氧化物层的所述部分包括：

去除所述第二硅层和所述至少一个中间氧化物层的下面部分，以形成用于麦克风和惯性传感器的背面空腔；以及

通过所述背面空腔，去除在所述麦克风和所述惯性传感器结构下面的至少一个中间材料的所述部分。