[发明专利]用三维成形工艺制造三维物体的方法和装置

权利要求书

1.一种按成形工艺逐层制造三维物体的装置，包括：

●处理室，三维物体在所述室中逐渐形成；

●将材料逐层特别是选择性地涂覆到处理室中的靶面上，并将要形成的三维物体的材料层进行熔合的机构；

●至少一个电磁元件，用来将电磁辐射发射到处理室内和/或从处理室接收电磁辐射，

其特征在于，所述装置具有用于在电磁元件和处理室体积之间形成由经调温的流体构成的薄膜的机构。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，至少一个电磁元件是光学传感器，特别是红外传感器。

3.如权利要求1或2所述的装置，其特征在于，至少一个电磁元件是激光器。

4.如权利要求1至3之一所述的装置，其特征在于，用于形成流体薄膜的机构布置在所述电磁元件上。

5.如权利要求1至3之一所述的装置，其特征在于，用于形成流体薄膜的机构与所述电磁元件隔开布置。

6.如权利要求1至5之一所述的装置，其特征在于，用于形成第一流体薄膜的第一机构布置在所述电磁元件上，而产生第二流体薄膜的第二装置与所述电磁元件隔开布置。

7.如权利要求1至6之一所述的装置，其特征在于，所述电磁元件具有罩和设置在该罩内并指向处理室的窗和/或镜头。

8.如权利要求4至7之一所述的装置，其特征在于，所述电磁元件的所述罩设有沟道，所述经调温的流体可流经该沟道。

9.如权利要求7或8所述的装置，其特征在于，所述沟道在所述电磁元件所述窗或镜头区域设有出口。

10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述出口区域的沟道相对所述窗或镜头斜对准布置，使得所述经调温的流体可以具有平行于窗表面或镜头表面的流动分量进入处理室。

11.如权利要求8至10之一所述的装置，其特征在于，所述沟道是包围整个电磁元件的沟道，并在直接包围电磁元件的内罩区域和包围沟道的外罩区域之间延伸。

12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述沟道的截面为圆形或由垂直于流动方向的内和外多边形围成。

13.如权利要求1至12之一所述的装置，其特征在于，所述装置具有流体源，流体管线从所述流体源通向所述电磁元件。

14.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述装置具有流体槽，流体通过该流体槽从所述处理室排出。

15.如权利要求14所述的装置，其特征在于，所述流体槽与流体源流体连通，从而引起流体循环。

16.如权利要求15所述的装置，其特征在于，所述流体在所述流体槽和所述流体源之间再生。

17.如权利要求1至16之一所述的装置，其特征在于，所述电磁元件通过流动流体进行温度调节，尤其仅通过该流体进行调节。

18.如权利要求7至17之一所述的装置，其特征在于，所述电磁元件设有绝热层，所述绝热层布置在窗和/或镜头的边缘，或者窗和/或镜头的边缘由绝热材料组成。

19.一种成形方法，特别是利用权利要求1至18之一所述的装置制造三维物体的方法，其包括以下步骤：

●将材料逐层地，特别是有选择性地，涂覆到处理室内的靶面上；

●将能量提供给材料层，以将所述层材料熔化及与位于该层材料下面的要形成的三维物体的材料层相熔合；

●重复涂覆材料和提供能量的步骤，以逐层构建该物体；

●其中至少一个电磁元件被用来把电磁辐射注入处理室内，和/或者处理室内靶面和任何其他可能的表面的温度通过获得所述电磁元件发射的辐射量来确定。

其特征在于，由经调温的流体构成的薄膜在电磁元件和处理室体积之间形成。

20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，由经调温的流体构成的薄膜在所述电磁元件上形成。

21.如权利要求19所述的方法，其特征在于，由流体构成的薄膜与所述电磁元件隔开形成。