[发明专利]半导体发光装置无效
申请号: | 200680023124.5 | 申请日: | 2006-07-27 |
公开(公告)号: | CN101208811A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
发明(设计)人: | 古池进;铃木正明;池田忠昭;永井秀男 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 发光 装置 | ||
1.一种半导体发光装置,包括放出波长在蓝光区到紫外光区的光的半导体芯片,和形成在所述光所通过的通过路径上的至少一部分区域中的密封部,其特征在于:
所述密封部包含密封材料和荧光材料,该密封材料由包含基体材料和粒子的复合材料构成,所述粒子由无机材料构成,已分散在该基体材料中,所述粒子的有效粒径在所述基体材料内部的所述光的波长的四分之一以下。
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其特征在于:
所述密封部形成为覆盖所述半导体芯片的周围。
3.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其特征在于:
所述密封部形成为与所述半导体芯片相接触。
4.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其特征在于:
所述密封部由第一密封部和第二密封部构成,该第一密封部由所述密封材料构成;该第二密封部形成在该第一密封部的外侧,包含所述荧光材料。
5.根据权利要求4所述的半导体发光装置,其特征在于:
所述半导体发光装置还包括:反射部件,该反射部件设置在所述第一密封部中的所述半导体芯片的至少下方及侧边,让所述光反射。
6.根据权利要求5所述的半导体发光装置,其特征在于:
所述密封材料是用具有透明性的糊状材料固定着所述半导体芯片、并且被所述反射部件支撑着的底层。
7.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其特征在于:
所述密封部由第一密封部和第二密封部构成,该第一密封部由所述密封材料构成;该第二密封部形成在该第一密封部的外侧;
所述粒子由吸收紫外光区的光的材料构成。
8.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其特征在于:
所述密封部由第一密封部和第二密封部构成,该第一密封部包含所述荧光材料;该第二密封部形成在该第一密封部的外侧,由所述密封材料构成。
9.根据权利要求4到8中的任一项所述的半导体发光装置,其特征在于:
所述第一密封部及所述第二密封部的外形呈半球状。
10.根据权利要求4到8中的任一项所述的半导体发光装置,其特征在于:
所述第一密封部的剖面外形呈四角形,所述第二密封部的外形呈半球状。
11.根据权利要求4到8中的任一项所述的半导体发光装置,其特征在于:
所述第一密封部及所述第二密封部的剖面外形呈四角形。
12.根据权利要求4到8中的任一项所述的半导体发光装置,其特征在于:
所述第一密封部的外形呈半球状,所述第二密封部的剖面外形呈四角形。
13.一种半导体发光装置,包括放出光的半导体芯片,和形成在所述光所通过的通过路径上的至少一部分区域中的密封部,其特征在于:
所述密封部包含由包含基体材料和粒子的复合材料构成的密封材料,所述粒子由无机材料构成,已分散在该基体材料中,所述粒子的有效粒径在所述基体材料内部的所述光的波长的四分之一以下,并且,所述密封部由覆盖所述半导体芯片的第一密封部和形成在该第一密封部的外侧的第二密封部构成;
所述第一密封部的、根据所述光的波长决定的第一折射率,高于所述第二密封部的、根据所述光的波长决定的第二折射率。
14.根据权利要求13所述的半导体发光装置,其特征在于:
含在所述第一密封部中的所述粒子的组成和含在所述第二密封部中的所述粒子的组成不同。
15.根据权利要求13所述的半导体发光装置,其特征在于:
所述第一密封部中的所述粒子在所述复合材料中所占的比例,高于所述第二密封部中的所述粒子在所述复合材料中所占的比例。
16.根据权利要求13所述的半导体发光装置,其特征在于:
所述第一密封部及所述第二密封部的外形呈半球状。
17.根据权利要求13所述的半导体发光装置,其特征在于:
所述第一密封部的剖面外形呈四角形,所述第二密封部的外形呈半球状。
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