[发明专利]制造半导体器件的方法以及用该方法获得的半导体器件

权利要求书

1.一种制造具有衬底(11)和硅半导体本体(12)的半导体器件(10)的方法，该硅半导体本体(12)中设置有至少一个半导体元件，其中在半导体本体(12)中形成包括硅和另一IV族元素的混合晶体的材料的半导体区域(1)，该半导体区域(1)被硅层(2)掩埋，该方法的特征在于以下步骤：

在半导体本体(12)的表面上提供包括开口(4)的掩模(3)，

通过在开口(4)中选择性沉积，形成包括硅和另一IV族元素的混合晶体的材料的半导体区域(1)，

至少部分去除掩模(3)，以及

在半导体本体(12)表面上沉积硅层(2)。

2.根据权利要求1的方法，特征在于所获得的结构被平面化。

3.根据权利要求1的方法，特征在于在半导体区域(1)的选择性沉积之后，在掩模(3)的开口(4)中选择性沉积硅区域(5)。

4.根据权利要求1的方法，特征在于在半导体本体(12)中，在半导体区域(1)上方形成由硅掩埋的、包括硅和另一IV族元素的混合晶体的材料的另一个半导体区域(6)。

5.根据权利要求4的方法，特征在于沿着投影方向看，所述半导体区域和所述另一个半导体区域至多彼此部分重叠。

6.根据权利要求1的方法，特征在于在半导体本体的表面中形成一个延伸至半导体区域的孔，并且，通过选择性蚀刻去除包括硅和另一IV族元素的混合晶体的材料，从而在该半导体区域的位置产生空腔。

7.根据权利要求6的方法，特征在于采用电绝缘材料填充所述孔和空腔。

8.根据权利要求7的方法，特征在于在半导体本体中由已填充的孔包围并且位于已填充的空腔上方的硅部分中形成半导体元件。

9.根据权利要求6的方法，特征在于采用导电材料填充所述空腔。

10.根据权利要求9的方法，其中半导体元件是场效应晶体管，特征在于已填充的空腔形成场效应晶体管的栅电极。

11.根据权利要求10的方法，特征在于场效应晶体管设置有在比所述栅电极更高层面处形成、并按照与所述栅电极相同的方式形成的另一个栅电极。

12.根据权利要求6的方法，特征在于通过半导体区域和其它半导体区域的叠层形成场效应晶体管的叠层，其中交替地一个半导体区被绝缘材料代替并且另一个半导体区被导电材料代替。

13.根据权利要求4或5的方法，特征在于所述半导体区域和所述其它半导体区域按照耦合的量子阱的形式形成。

14.根据权利要求13的方法，特征在于该半导体元件形成为包括耦合的量子阱的红外线探测器，所述量子阱通过在半导体本体表面中下凹的半导体区域独立地接触。

15.根据权利要求7的方法，其中所述半导体元件是场效应晶体管，特征在于已填充的空腔形成绝缘区域，该绝缘区域将晶体管的沟道区域与衬底分开。

16.根据权利要求1的方法，特征在于通过外延形成硅层和包括硅和另一IV族元素的混合晶体的材料的半导体区域。

17.根据权利要求1的方法，特征在于选择锗作为另一IV族元素。

18.根据权利要求16的方法，特征在于选择半导体区域的厚度在5至50纳米之间，并选择其锗含量在20at.％至40at.％之间。

19.根据权利要求1的方法，特征在于掩模由二氧化硅形成。

20.根据权利要求1的方法，特征在于完全去除掩模。

21.根据权利要求1的方法，特征在于在去除掩模之后和在沉积硅层之前，所述器件在氢气氛中优选在850℃以上的温度经受热处理。

22.通过根据前面任何一项权利要求所述的方法获得的半导体器件。