[发明专利]金属类膜形成方法以及存储程序的存储介质

权利要求书

1.一种金属类膜形成方法，其特征在于，包括：

通过交替地反复供给所述金属类原料气体和氢化物气体，形成包含非晶质的第一金属类膜的第一金属类膜成膜步骤；

在所述第一金属类膜上，通过同时供给所述金属类原料气体和还原性气体，形成第二金属类膜的第二金属类膜成膜步骤。

2.根据权利要求1所述的金属类膜形成方法，其特征在于：

至少所述第二金属类膜的结晶结构为体心立方结构。

3.根据权利要求1所述的金属类膜形成方法，其特征在于：

所述第一金属类膜成膜步骤通过在供给所述金属类原料气体的步骤和供给所述氢化物气体的步骤之间插入供给不活泼气体的清洁步骤，交替地反复进行，形成所述第一金属类膜。

4.根据权利要求3所述的金属类膜形成方法，其特征在于：

在所述清洁步骤中，通过改变供给所述氢化物气体的步骤之后的清洁步骤的进行时间，改变所述第一金属类膜包含的非晶质的比例。

5.根据权利要求3所述的金属类膜形成方法，其特征在于：

在所述清洁步骤中，通过至少在供给所述氢化物气体的步骤之后的清洁步骤中插入停止供给所述不活泼气体的步骤，改变所述第一金属类膜中包含的非晶质的比例。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的金属类膜形成方法，其特征在于：

所述金属类原料气体为卤化物气体。

7.根据权利要求1～5中任一项所述的金属类膜形成方法，其特征在于：

所述氢化物气体为SiH₄气体、B₂H₆气体、所述SiH₄气体和所述B₂H₆气体的混合气体中的任一种。

8.根据权利要求3所述的金属类膜形成方法，其特征在于：

通过利用具有还原性的稀释气体稀释所述氢化物气体，改变所述第一金属类膜中包含的非晶质的比例。

9.根据权利要求8所述的金属类膜形成方法，其特征在于：

所述氢化物气体为B₂H₆气体或PH₃气体。

10.根据权利要求8或者9所述的金属类膜形成方法，其特征在于：

所述氢化物气体是以H₂气体作为稀释气体稀释至5％以下的气体。

11.一种计算机能够读取的存储介质，其特征在于，

存储有用于在计算机中执行下述步骤的程序：

通过在供给所述金属类原料气体的步骤和供给所述氢化物气体的步骤之间插入供给不活泼气体的清洁步骤，交替地反复进行，形成所述第一金属类膜的第一金属类膜成膜步骤；和

在所述第一金属类膜上，通过同时供给所述金属类原料气体和还原性气体，形成第二金属类膜的第二金属类膜成膜步骤。