[发明专利]制造组件的方法及组件

权利要求书

1.一种制造半导体组件的方法，包括以下步骤：

提供载体，其包括具有第一侧和相反的第二侧的半导体衬底，且具有限定在所述衬底中、在所述第一侧处的至少一个电元件，所述载体还包括位于所述衬底的所述第一侧上的互连结构，其中限定多个接触焊盘和至少一个至所述衬底的所述第一侧的延伸部分，以及来自所述至少一个电元件和到所述至少一个电元件的互连；

将有源器件附着并电耦合到所述互连结构中的所述接触焊盘，所述有源器件的表面面积小于所述载体；

封装电器件，

通过从其第二侧选择性地去除所述半导体衬底来形成至少一个由半导体材料构成的岛，以及

限定用于耦合到所述互连结构中的所述延伸部分的外部连接的端子。

2.如权利要求1所述的方法，其中以形成台面状岛的这样一种方式去除所述衬底。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述载体在半导体层的第一侧处设有氧化层，局部去除所述台面状岛周围的所述氧化层。

4.如权利要求1或2所述的方法，其中所述互连结构包括应力消除电介质层，以允许所述有源器件与所述台面状岛之间的相对移动。

5.如权利要求1所述的方法，其中在选择性地去除所述半导体衬底的过程中同时形成所述台面状岛和所述端子，由于衬底在所述延伸部分的区域处被完全去除以便形成所述端子。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述端子形成在所述台面状岛的表面上并通过所述台面状岛电耦合到所述延伸部分。

7.如权利要求1所述的方法，其中对所述衬底的选择性去除将所述互连结构中的所述延伸部分暴露出来，其后将树脂层设置在该第二侧上，在该第二侧面上限定通过延伸穿过所述树脂层的互连而耦合到所述延伸部分的所述端子。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述有源器件设有接触焊盘，其利用焊球耦合到所述载体的所述接触焊盘。

9.如权利要求8所述的方法，其中在对所述衬底的选择性去除之前通过研磨从其第二侧来减薄该衬底，且其中仅在所述减薄步骤之后，将所述焊球施加到所述有源器件的所述接触焊盘并对其进行热处理以便与所述接触焊盘或其上的任何材料形成焊接点。

10.一种半导体组件，包括：

横向有限的半导体衬底区，其中限定电元件；

覆在所述衬底区之上且具有第一侧和第二侧的互连结构，该结构在其第一侧设有用于耦合到电器件的接触焊盘，且在其第二侧设有与所述电元件的连接，

位于所述互连结构的所述第二侧处并通过延伸部分耦合到所述互连结构的端子，横向设置所述延伸部分并使其与所述半导体衬底区隔离，

耦合到所述互连结构的所述第一侧的电器件，以及

在所述互连结构的所述第一侧上延伸以便支撑所述互连结构并封装所述电器件的封装体。

11.如权利要求10所述的半导体组件，其中所述封装体包括金属层，并且所述互连结构的所述延伸部分延伸到所述第一侧并耦合到所述金属层。

12.如权利要求11所述的半导体组件，其中所述封装体包括绝缘层。

13.如权利要求11所述的半导体组件，其中所述有源器件包括用于所述衬底区中的所述电元件的控制器件。

14.一种载体衬底，包括具有第一侧和相反的第二侧的半导体衬底，且具有限定在所述衬底中的所述第一侧处的区域中的至少一个电元件，所述载体衬底还包括位于该衬底的所述第一侧上的互连结构，其中限定互连结构：

暴露在所述第二侧处的多个接触焊盘，所述接触焊盘对应于将要安装到其上的电器件的接触焊盘；

至少一个至所述衬底的所述第一侧的延伸部分，其与所述衬底区相邻；

按照预定设计在所述至少一个电元件、延伸部分和接触焊盘之间的互连。